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威世科技VRPower整合DrMOS提供多相於高功率密度調節器POL
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2014年12月25日 星期四

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威世科技(Vishay)推出新型VRPower整合型DrMOS功率級解決方案,提供三種PowerPAK封裝尺寸,以應對高功率高效率多相POL應用領域。威世Siliconix SiC789與SiC788採用MLP66-40L封裝,為Intel 4.0 DrMOS 標準(6 mm x 6 mm)腳位,而SiC620及SiC620R則採用全新的5 mm x 5 mm MLP55-31L封裝,SiC521則是4.5 mm x 3.5 mm的MLP4535-22L封裝。此裝置被最佳化於需要高電流,有空間限制的運算、儲存設備、電信交換器、路由器、圖形卡與比特幣挖礦機的DC/DC電轉換器。

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SiC789及SiC788的6 mm x 6 mm提供更方便的升級路徑,給設計上需要更高的輸出功率並已使用Intel標準 DrMOS 4.0的腳位者,全新5 mm x 5 mm及3.5 mm x 4.5 mm的腳位,給設計上需要更侷限、緊湊空間的電壓調節器提供選擇。PowerPAK MLP55-31L及MLP4535-22L改善數種在封裝上所產生的寄生及熱度效應,鞏固威世在Gen IV MOSFET先進的動態性能。例如,在傳統多相降壓型轉換器設計中,採用雙邊冷卻MLP55-31L封裝的SiC620R可傳送70 A,效率為 95 %。本裝置能同時冷卻封裝頂部及底部,較前一代封裝相比減少20 %的損失,佔板面積也減少33 %。縮小型的3.5 mm x 4.5 mm SiC521可在筆電、伺服器週邊設備、電信交換器、遊戲主機板等設計中傳送高達25 A的連續電流,電流峰值達到40 A。

VRPower系列閘極驅動IC可應用於多種PWM控制器,並支援5 V及3.3 V的三態PMW邏輯。此外,驅動IC 結合了二極體仿真模式電路,用於提升輕載效率。另外,自適應死區時間控制,能更進一步提升所有負載點的效率。本裝置更具備欠電壓鎖定功能(UVLO)、短路保護及過熱警告(能在系統接面溫度過高時發出警示)等特殊功能。

新裝置系列共計提供標準型6 mm x 6 mm PowerPAK MLP66-40L及全新 5 mm x 5 mm PowerPAK MLP55-31L、及4.5 mm x 3.5 mm PowerPAK MLP4535-22L封裝。(編輯部陳復霞整理)

關鍵字: VRPower  DrMOS  密度調節器  POL  威世科技  Vishay  系統單晶片  電源元件 
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