鎧俠公司（Kioxia）宣布第八代2Tb四層單元（Quad-Level-Cell；QLC）樣品開始供貨BiCS FLASH 3D快閃記憶體技術。這款2Tb QLC設備將儲存設備提升到高容量，將推動包括AI在內的多個應用領域成長。

Kioxia透過最新BiCS FLASH技術，運用縮放和晶圓鍵合技術的創新架構，實現了記憶體晶片的垂直和橫向擴展。此外，該公司還實施突破性的CBA（CMOS 直接鍵結到陣列）技術，能夠創造更高密度的裝置和3.6Gbps介面速度。這些先進技術共同應用於2Tb QLC的建立，從而形成高容量的儲存設備。

2Tb QLC配備的位密度約為高出2.3倍，寫入功率效率約為比Kioxia目前的第五代QLC 裝置高出70%，這是 Kioxia 產品中容量最高的。最新的QLC裝置採用單一記憶體封裝中的 16 晶片堆疊架構，實現先進的4TB容量。具有11.5 x 13.5mm的較小封裝尺寸和1.5mm的封裝高度。