帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
ST推出MasterGaN系列新款非對稱拓撲產品
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2021年01月26日 星期二

瀏覽人次:【2633】

半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics;ST)MasterGaN平台的創新優勢持續延伸,今日推出的新款MasterGaN2,是新系列雙非對稱氮化鎵(GaN)電晶體的首款產品,適用於軟開關有源鉗位元反激拓撲的GaN整合化解決方案。

意法半導體MasterGaN系列新增優化的非對稱拓撲產品
意法半導體MasterGaN系列新增優化的非對稱拓撲產品

兩個650V常關型GaN電晶體的導通電阻(RDS(on))分別為150mΩ和225mΩ,每個電晶體皆整合一個優化的閘極驅動器,讓GaN電晶體如普通矽元件一般便捷易用。其整合了先進驅動功能和GaN既有的性能優勢,MasterGaN2可進一步提升有源鉗位反激式轉換器等拓撲電路之高效能、小體積和輕量化優勢。

MasterGaN功率系統級封裝(SiP)系列在同一封裝整合了兩個GaN高電子遷移率電晶體(HEMT)和配套的高壓閘極驅動器,還內建了所有必備的保護功能。設計人員可以輕鬆將霍爾感測器和DSP、FPGA或微控制器等外部裝置與MasterGaN元件連線。輸入相容3.3V-15V邏輯訊號,有助於簡化電路設計和物料清單,並可使用更小的電路板,簡化產品安裝。這種整合方案有助於提升轉接器和快充充電器的功率密度。

GaN技術正在推動USB-PD轉接器和智慧型手機充電器朝快充發展。意法半導體的MasterGaN元件可讓這些充電器體積縮小高達80%,同時減輕70%的重量,而充電速度是普通矽基解決方案的三倍。

內建保護功能包括高低邊欠壓鎖定(Under-Voltage Lockout;UVLO)、閘極驅動器互鎖、專用關閉腳位和過熱保護。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應用而優化的封裝,高低壓焊盤之間之安全距離超過2mm。

MasterGaN2現已量產。

關鍵字: ST(意法半導體
相關產品
意法半導體智慧致動器STSPIN參考設計 整合馬達控制、感測器和邊緣AI
ST新一代NFC控制器內建安全元件 支援STPay-Mobile數位錢包服務
意法半導體新款微控制器融合無線晶片設計 提升遠距應用連線效能
CommScop和意法半導體攜手讓連網裝置的Matter配置安全又簡單
意法半導體新款高精度數位電源監測器晶片支援MIPI I3C
  相關新聞
» 工研院秀全球最靈敏振動感測晶片 可測10奈米以下振動量
» 安立知以全方位無線通訊方案引領探索6G時代
» 再生能源成長創新高 但發展程度並不平均
» 意法半導體突破20奈米技術屏障 提升新一代微控制器成本競爭力
» Pure Storage攜手NVIDIA加快企業AI導入 以滿足日益成長的需求
  相關文章
» 使用Microchip Inductive Position Sensor(電感式位置感測器)實現高精度馬達控制
» 以霍爾效應電流感測器創新簡化高電壓感測
» ESG趨勢展望:引領企業邁向綠色未來
» 智慧家居大步走 Matter實現更好體驗與可靠連結
» 車載軟體數量劇增 SDV硬體平台方興未艾

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.52.55.55.239
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw