帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
宜普電源推出全新增?型氮化鎵功率電晶體
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2015年08月27日 星期四

瀏覽人次:【8312】

宜普電源(EPC)推出EPC2039功率電晶體。該產品是一種具備高功率密度的增?型氮化鎵(eGaN)功率電晶體,其尺寸只是1.82mm2、80 VDS、6.8 A及在閘極上施加5 V電壓時的最大阻抗? 22 微歐姆。由於它在超小型封裝內具備高開關性能,因此在電源轉換系統具備高性能。

宜普電源推出面向無線電源傳送及其他高頻應用並具備高功率、小尺寸及低成本優勢的全新eGaN FET。
宜普電源推出面向無線電源傳送及其他高頻應用並具備高功率、小尺寸及低成本優勢的全新eGaN FET。

EPC2039用途廣泛,其主要應用?需要高頻功率轉換的應用,包括同步整流、D類音訊放大器、高壓降壓轉換器、無?充電及?衝電源(LiDAR)等應用。新興的LiDAR應用包括無人駕駛汽車及擴增實景(AR)等應用。

宜普公司環球銷售及市場營銷副總裁Steve Colino表示:「如果設計工程師需要具備高功率密度及低成本的電晶體,EPC2039就是前沿電晶體之選。它幫助設計工程師提高他們的設計的輸出功率而不需要增加元件的佔板面積。」

全新eGaN FET (EPC2039)具備優越性能、大功率及採用超小型封裝的優勢。

關鍵字: 功率電晶體  氮化鎵  eGaN  宜普電源  系統單晶片 
相關產品
Transphorm 240瓦電源適配器參考設計使用TO-220封裝氮化鎵功率管
飛宏新款65W配接器採用Transphorm氮化鎵技術
EPC新推80 V和200 V eGaN FET
TI最新車用GaN FET 整合驅動器、保護功能與主動式電源管理
EPC基於eGaN的非隔離穩壓式轉換器開發板
  相關新聞
» 工研院VLSI TSA研討會登場 聚焦異質整合與小晶片、HPC、AI
» 國科會擴大國際半導體人才交流 首座晶創海外基地拍板布拉格
» SEMI:2023年全球半導體設備出貨微降至1,063億美元
» TrendForce:台灣強震過後 半導體、面板業尚未見重大災損
» 亞灣2.0以智慧科技領航國際 加速產業加值升級
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.16.76.43
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw