瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.），宣佈推出RQG2003高效能功率SiGe HBT，可達最高效能等級，運用於無線區域網路終端設備、數位無線電話、及RF（無線電射頻）標籤讀取機/寫入機等產品。預計於2007年3月起在日本開始提供樣品。接續瑞薩科技現有的HSG2002，RQG2003為使用於功率放大器之電晶體，放大無線區域網路終端設備等裝置RF前端的傳輸功率。

RQG2003是瑞薩科技首度採用其獨特雙渠（double-trench）架構之產品，在此架構中，會在單一電晶體區域中形成一個渠道隔離以及傳導渠道。利用渠道隔離來區隔電晶體與底層的矽，可減少會導致高頻率特性劣化的寄生電流容量（在底層與電晶體之間）。此外，傳導渠道是以via holes方式連接電極與底層而建立的，可藉此降低因纜線結合所產生的電感。利用此雙重渠道架構可大幅提昇2.4 GHz及5 GHz頻段的功率增益及功率增加效率。RQG2003採用最佳的銀漿，可提高黏晶的可靠度及導電率，並採用Sn-Bi（錫-鉍）做為封裝電極電鍍，提供完全無鉛的產品。

RQG2003採用SiGeC程序，其中的SiGe底座尚有塗佈碳，並且電晶體排列方式亦經過最佳化。這樣可帶來大幅的提升，集電裝置電流密度提高，而且相較於瑞薩科技現有的HSG2002，1dB增益壓縮功率提升約1.5 dBm。瑞薩科技計畫擴大RQG系列SiGe功率電晶體的LNA（低雜訊放大器）RQG1xxx及PA（功率放大器）RQG2xxx的產品種類，並持續開發RQL系列SiGe MMIC的LNA RQL1xxx及PA RQL2xxx產品，以提供更多的產品項目，滿足持續成長的市場需求。