SuVolta，開發應用於低功耗高效能芯片的可微縮半導體技術的公司，於今日宣布使用該公司的電晶體技術製造的ARM Cortex-M0處理器實現了大幅度的速度提升，同時降低功耗。ARM Cortex-M系列處理器由使用SuVolta公司的Deeply Depleted Channel(tm) (DDC)技術的65nm基體平面CMOS製程製造。使用SuVolta公司的電晶體技術，設計人員可根據設計需求顯著降低功耗或提高效能。

ARM公司處理器分部戰略與市場副總裁Noel Hurley稱："ARM的傳承基於低功耗，因此能進一步改進功耗的技術，比如SuVolta的DDC，總會深受ARM及其合作伙伴的歡迎。SuVolta展示了DDC技術應用到ARM處理器中，可以進一步降低功耗或顯著提高效能。隨著物聯網的擴張，能應用於傳感器和其他器件的創新性超低功耗技術對於確立ARM在這場機遇中的前沿地位至關重要。"

同樣的ARM Cortex-M0處理器如果使用傳統65nm製程製造，工作在1.2V電壓下。與之相比，基於DDC的ARM處理器工作在0.9V，展示了以下優勢：

在相同的350MHz工作頻率下，總功耗降低百分之五十。

在相同的功耗條件下，工作頻率（效能）增加百分之三十五。

在相同的工作電壓下，工作頻率增加百分之五十五。

SuVolta公司的數碼設計部高級總監David Kidd稱："透過將ARM Cortex-M0處理器與SRAM模塊及各種模擬器件相結合，我們已經驗証了DDC技術在復雜SOC中的優勢。結果顯示了：CPU內核功耗-效能優化，並且在所有製程角落和溫度下能夠保持。此外，SRAM的最低工作電壓降低了150mV，在相同SRAM讀電流下泄漏功率降低百分之五十，在保持模式泄漏電流降低五倍以上。"

SuVolta總裁兼首席執行官Bruce McWilliams博士表示："降低功耗並增強效能是提供新一代高級數碼產品能力的關鍵所在。透過驗証DDC技術在SoC，包括ARM處理器，應用上的效能-功耗優勢，在論証我們的技術在系統級別的價值上，我們又達到了一個意義重大的裡程碑。"

McWilliams博士還表示："我們與一流的無晶圓廠半導體公司以及晶圓廠緊密合作，繼續在先進製程結點上驗証我們的技術並取得長足進步。"