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imec光阻劑減量：MOR曝光後烘烤步驟注入氧氣成為產量關鍵推手 (2026.03.03)
日前舉行的2026年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography + Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示在EUV微影曝光後步驟精準控制氣體成分有助於盡量減少所需的曝光阻劑，進而推動晶圓產量增加 |
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High NA EUV將登場 是否將加速半導體產業寡占？ (2026.02.13)
隨著 2 奈米以下製程逐步逼近量產階段，High NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻機）設備被視為延續摩爾定律的重要關鍵。然而，在技術突破的光環之下，產業界也開始討論一個更現實的問題：當導入門檻與投資規模再創新高 |
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歐盟啟動NanoIC晶片試產線 推進先進製程與AI競爭力 (2026.02.13)
在全球半導體競爭日益激烈的局勢下，歐盟正式啟動 NanoIC 晶片試產線（NanoIC pilot line），意圖強化本土先進半導體研發與製造能力，並縮小與亞洲、美國先進晶片製造的技術差距 |
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imec採用EUV微影技術 展示固態奈米孔首次晶圓級製造 (2026.02.03)
於今年IEEE國際電子會議（IEDM），imec展示運用極紫外光（EUV）微影技術首次成功完成的固態奈米孔晶圓級製造。固態奈米孔作為分子感測應用的有力工具，正在逐漸興起，但還未進行商業化 |
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艾司摩爾2025年全年財報亮眼 全球半導體設備迎來新一波紅利期 (2026.01.28)
艾司摩爾（ASML）近日揭曉 2025 年全年財報，數據表現亮眼。2025 年全年銷售淨額達到 327 億歐元，淨收入為 96 億歐元。光是第四季的單季銷售額就以 97 億歐元創下歷史新高，其中包括兩套最先進的 High NA EUV 設備收入認列，顯示出先進製程的需求正處於爆發期 |
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Canon噴墨式平坦化技術 為先進製程帶來成本革命 (2026.01.13)
長期以來，晶圓在多層堆疊過程中，表面會產生細微的起伏，這會導致光學曝光時出現失焦，進而造成電路缺陷。傳統上，業界依賴化學機械研磨（CMP）來磨平晶圓，但隨著製程邁向 2 奈米甚至更深層，CMP 的精度已逐漸遇到瓶頸 |
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中國公布EUV原型機研發進展 (2025.12.19)
根據報導指出，中國在極紫外光（EUV）光刻機領域已完成原型機階段的進展。此一成果被視為中國推動高階半導體設備自主化的重要里程碑，也是外界所稱「中國曼哈頓計畫」的關鍵環節之一，顯示中國正積極嘗試突破先進製程設備長期依賴海外供應的結構性限制 |
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3D列印重新定義設備與製程 (2025.12.10)
對追求速度與性能的半導體產業而言，3D列印正逐步成為改寫競爭格局的重要武器，而在AI時代，掌握AM就意味著掌握製造創新的主導權。 |
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韓國晶片大廠擴產潮啟動 供應鏈再迎新一波成長動能 (2025.11.19)
韓國半導體產業再度吹起擴張號角。根據報導，韓國兩大晶片製造商近期針對先進製程與記憶體產能展開大規模投資，帶動整體供應鏈期待升溫，形成一股向外擴散的產業活水 |
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Playground佈局次世代運算關鍵技術 解決算力核心瓶頸 (2025.11.18)
全球深科技創投 Playground Global 近年積極投資一系列關鍵領域，包括電源管理、光通訊、先進互連、高效能運算架構與微影光源等，這些技術正是支撐未來 AI、HPC、資料中心與晶圓製造等產業持續發展的根本命脈 |
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台灣機械設備業挺進先進封裝生態鏈 (2025.11.12)
對於台灣機械設備與材料產業而言，這既是被動應對全球變動的必要策略，也是主動從「設備／材料出口」轉型為「高階封裝整合生態系統供應商」的千載機會。 |
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從中國光刻機國產化腳步 看半導體自主之路的關鍵 (2025.10.21)
在美國持續擴大晶片出口管制、荷蘭加強ASML設備出口限制的壓力下，中國大陸正將光刻機列為半導體產業「卡脖子」環節的首要突破點。2025年，中國光刻技術的進展，特別是193奈米ArF沉浸式DUV機種的開發，成為全球關注焦點 |
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應材研發新一代半導體製造系統 將大幅提升AI晶片效能 (2025.10.09)
迎接全球AI基礎建設熱潮，美商應用材料公司近日也發表最新半導體製造系統，將專注在3大關鍵領域，分別是環繞式閘極（GAA）、電晶體在內的前瞻邏輯製程、高頻寬記憶體（HBM）在內的高效能DRAM等 |
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imec達成High-NA EUV單次圖形化里程碑 (2025.10.07)
於2025年國際光電工程學會（SPIE）光罩技術暨極紫外光微影會議（美國加州蒙特雷市）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了兩項有關單次壓印極紫外光（EUV）微影的突破性進展：（1）間距為20奈米的導線圖形 |
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華為AI晶片大舉增產 挑戰NVIDIA主導地位 (2025.10.03)
根據消息指出，華為（Huawei）正計畫大幅提高其最先進AI晶片的產量。此舉被視為華為在全球AI算力市場發起的一場重大攻勢，特別是在美國持續實施出口管制、導致輝達（NVIDIA）等廠商在中國市場面臨地緣政治限制之際，華為正試圖抓住機會，擴大其在本土及全球市場的份額，爭取關鍵客戶 |
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由設計實現的可永續性：降低下一代晶片的環境成本 (2025.10.02)
本文透過在開發週期的早期階段整合環境考量、改善獲取製程級潛在影響數據的途徑，以及探索取代高影響力材料和傳統製程步驟的替代方案，以探討永續性可能變成設計參數而非限制的方法 |
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ASML高孔徑EUV採用進度放緩 技術與市場拉鋸顯現 (2025.09.29)
荷蘭光刻巨頭 ASML 長期壟斷極紫外光（EUV）市場，其設備成為推動半導體製程不斷前進的關鍵。然而，外界原本寄予厚望的高數值孔徑（High NA）EUV 光刻機，近期卻傳出採用進度不如預期，反映出先進技術與市場現實之間的拉鋸 |
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SK海力士HBM4全球首量產 頻寬翻倍、功耗效率大增40% (2025.09.15)
南韓半導體大廠SK海力士（SK hynix）今日宣布，已完成新一代高頻寬記憶體HBM4的開發並進入量產，成為全球首家量產該規格的廠商，為AI市場投下震撼彈。
相較前代產品，HBM4的頻寬直接翻倍，功耗效率提升超過40%，運行速度更超越10Gbps的產業標準 |
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SK hynix與ASML完成首台High-NA EUV系統組裝 (2025.09.08)
南韓SK hynix 與荷蘭設備大廠 ASML已成功完成首台「商用 High-NA EUV」系統的組裝作業。這項技術被譽為未來半導體製程的重要基石，代表記憶體產業正邁向新一輪技術革新。
這套設備的核心亮點，在於其數值孔徑（NA）達到 0.55，遠高於現有 EUV 系統普遍使用的 0.33 NA |
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Rapidus啟動2奈米試產 搶攻先進製程市場重振日本半導體雄風 (2025.08.01)
日本半導體產業正掀起復興浪潮。由政府主導支持的新興晶圓代工公司 Rapidus 宣布，將於 2025 年展開 2 奈米製程的試產計畫，並計劃 在 7 月推出首批樣板晶片。該計畫獲得日本政府 超過 5.4 億美元的資金補助，象徵日本決心重返全球先進製程競賽的戰略目標 |
