新一代記憶體發威 MRAM開啟下一波儲存浪潮
發揮高度靈活性
作者\王岫晨
STT-MRAM可實現更高的密度、更少的功耗,和更低的成本。此外,STT-MRAM也非常有可能成為未來重要的記憶體技術。不止可以擴展至10nm以下製程,更可以挑戰快閃記憶體的低成本。
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