打開光讀寫的新篇章:發光記憶體的技術原理與商用潛力

活動介紹

技術講座

 打開光讀寫的新篇章:發光記憶體的技術原理與商用潛力

臺灣師範大學光電工程研究所李亞儒與張俊傑教授,與日本九州大學材料化學與工程研究所玉田熏(Kaoru Tamada)特聘教授,組成跨國的研究團隊,在今年7月在《自然通訊》期刊中上發表了一種新型高效能「發光記憶體」。 這個新型記憶體整合了兩個同樣以鈣鈦礦為基礎的獨立元件,一個是發光電化電池,另一個是可變電阻式記憶體(RRAM),它實現了讓數據同時以電子和光學方式傳輸,有望在未來半導體產業中實現更多工的數據存取模式,並為鈣鈦礦的光電子學開闢一條新應用途徑。 本場東西講座特別邀請了李亞儒教授,親身說明其研究成果與其背後的技術原理,他將深入的說明如何利用鈣鈦礦,來實現同時兼具電子與光學特性的元件。 本次的講座主軸如下: ‧ 發光記憶體的原理 -可變式電阻式記憶體 -金屬鹵素鈣鈦礦(溴化銫鉛)量子點 ‧ 研究發現與突破 ‧ 成果與應用 ‧ 討論與QA 而透過此次深度的技術交流,希望能為此發光記憶體開拓更多的應用機會,同時也加速該技術的商用發展。 ※報名成功繳費完成,活動當天送CTIMES&智動化雜誌各1期(不限月份)

活動議程

2021-10-22
報到
2021-10-22
講師:籃貫銘
Opening
2021-10-22
講師:李亞儒博士
<B>&bull;發光記憶體的原理</B> - 可變式電阻式記憶體 - 金屬鹵素鈣鈦礦量子點 <B>&bull;研究發現與突破</B> <B>&bull;成果與應用</B> <B>&bull;討論與QA</B>
2021-10-22
Tea Time-自由交流

合作夥伴

主辦單位
CTIMES智動化

交通資訊

活動時間:2021年10月22日 (五)14:00~16:00

活動地點:東西講堂(台北市中山區中山北路三段29號11樓之3)

https://goo.gl/maps/7kgNz2HEqttk8K2y6

活動報名

報名已截止!

參加辦法

參加方式:NT$500元(含茶點一份)/人

報名洽詢:招生人數為10人,任何問題請來信imc@ctimes.com.tw

注意事項:

1. 一般免費活動,將由主辦單位進行出席資格審核,通過審核後您將於活動日期前三日收到報到通知信函。

2. 請於活動當日報到時,以紙本或螢幕出示通知信函中之報到編號,以快速完成報到。

3. 活動當天,若報名者不克參加,可指派其他人選參加,並請事先通知主辦單位。

4. 若因不可預測之突發因素,主辦單位得保留研討會課程主題及講師之變更權利。

5. 活動若適逢颱風達放假標準等天災之不可抗拒之因素,將延期舉辦,時間則另行通知。