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讨论新闻主题﹕意法半导体新推出1200V IGBT低频电晶体

新闻 提要
意法半导体(STMicroelectronics,ST)推出S系列1200V IGBT绝缘闸极双极性电晶体。当开关频率达到8kHz时,新系列的双极元件拥有低导通及关断耗损,大幅提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业马达驱动器等相关设备的电源转换效率。 新S系列拥有当前1200V IGBT市场上最低的饱和电压(VCE(sat)),可确保更低的电压降与最小的功率耗损,从而简化热管理系统。此外,正VCE(sat)温度系数结合紧密的参数分布,不仅大幅简化了多个电晶体的平行设​​计,亦满足更大功率应用的要求。极低的电压过冲及关机零振荡现象(zero oscillation),让电源厂商能够使用更简易的外部电路及更少的外部元件

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