<
账号：
密码：

讨论新闻主题﹕CoolSiC MOSFET与TRENCHSTOP IGBT推出Easy 2B 封装

新闻 提要
相较於传统 3 阶中点箝位拓扑，进阶中点箝位 (ANPC) 变频器设计可支援半导体装置间的均匀损耗分布。英飞凌科技旗下1200V系列混合式 SiC 与 IGBT 功率模组新增采用 ANPC 拓扑的 EasyPACK 2B封装。此模组分别针对 CoolSiC MOSFET 和 TRENCHSTOP IGBT4 晶片组的损耗甜蜜点进行最隹化，因此具有更高的功率密度及高达 48 kHz 的切换频率，特别适合新一代 1500 V 太阳能光电和储能应用的需求。 全新 ANPC 拓扑支援 99% 以上的系统效率。比起具有较低切换频率的装置，在像是 1500 V太阳能串列型变频器的 DC/AC 级中实作混合式 Easy 2B 功率模组，可实现更小的线圈。因此，其重量将远低於采用全矽组件的相应变频器

发表新主题
主题：
文章内容：
  确认码:  
  一般讨论区
一般讨论区
新闻报导论坛
Aktive besked forum
专栏评析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章论述论坛
软件应用论坛
产品应用论坛
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技术应用区
电子技术类：
计算机科技类：
网际科技类：
軟體資源類：
 
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 读者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw