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讨论新闻主题﹕ST推出隔离式闸极驱动器 可安全控制碳化矽MOSFET

新闻 提要
半导体供应商意法半导体（ST）宣布推出STGAP系列隔离式闸极驱动器的最新产品STGAP2SiCS，可安全控制碳化矽（SiC）MOSFET，且作业电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产生高达26V的闸极驱动电压，将欠压锁定（UVLO）??压提升到15.5V，满足SiC MOSFET开关二极体正常导电要求。如果电源电压低引起驱动电压太低，UVLO保护机制将确保MOSFET处於关断状态，以免产生过多的耗散功率。这款驱动器有双两个输入脚位，让设计人员可以定义闸极驱动讯号的极性。 STGAP2SiCS在输入和闸极驱动输出之间设计6kV电气隔离，电隔离有助於确保消费性电子和工业设备的用电安全。4A吸电流／拉电流驱动能力使其适用於高阶家用电器、工业驱动装置、风扇、电磁炉、电焊机、UPS不断电供应系统等设备的高功率转换器、电源和逆变器

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