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讨论新闻主题﹕ST推新款MasterGaN4元件 实现高达200W功率转换

新闻 提要
半导体供应商意法半导体(ST)推出新MasterGaN4,其功率封装整合了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化??(GaN)功率电晶体,以及优化的闸极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高效能电源转换应用设计。 MasterGaN4是意法半导体MasterGaN系列的最新产品,解决了复杂的闸极控制和电路配置挑战,并进一步简化了宽能隙GaN功率半导体的应用设计。MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V,可以直接与控制器连线,例如,霍尔效应感测器或微控制器、DSP处理器、FPGA可程式设计元件等CMOS晶片。 GaN电晶体的优势包括出色的开关性能、更高的运作频率、更高效能效,而且发热更少,设计人员可以选用尺寸更小的磁性元件和散热器,以设计出更小、更轻的电源、充电器和转接头

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