<
账号:
密码:

讨论新闻主题﹕英飞凌改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组 采用新型AIN陶瓷基板

新闻 提要
英飞凌科技利用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板,成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组。此半桥式装置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B两种封装型式,导通电阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V装置采用高性能陶瓷,因此适合高功率密度应用,如太阳能系统、不断电系统、辅助变频器、储能系统及电动车充电器等。 EasyDUAL模组之FF11MR12W1M1_B70 和 FF6MR12W2M1_B70装置采用最新CoolSiC MOSFET技术,闸极氧化层可靠度极隹。经过改良的DCB材料导热性,可降低至散热片之热阻(RthJH)高达40%。CoolSiC Easy模组结合新型AIN陶瓷,不仅可提高输出功率,还能降低接面温度,进而大幅延长系统寿命。 EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组之FF11MR12W1M1_B70及FF6MR12W2M1_B70装置已经上市

发表新主题
主题:
文章内容:
  确认码:  
  一般讨论区
一般讨论区
新闻报导论坛
Aktive besked forum
专栏评析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章论述论坛
软件应用论坛
产品应用论坛
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技术应用区
电子技术类:
计算机科技类:
网际科技类:
軟體資源類:
 
刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2021 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw