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讨论新闻主题﹕英飞凌改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组 采用新型AIN陶瓷基板

新闻 提要
英飞凌科技利用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板，成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组。此半桥式装置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B两种封装型式，导通电阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V装置采用高性能陶瓷，因此适合高功率密度应用，如太阳能系统、不断电系统、辅助变频器、储能系统及电动车充电器等。 EasyDUAL模组之FF11MR12W1M1_B70 和 FF6MR12W2M1_B70装置采用最新CoolSiC MOSFET技术，闸极氧化层可靠度极隹。经过改良的DCB材料导热性，可降低至散热片之热阻(RthJH)高达40%。CoolSiC Easy模组结合新型AIN陶瓷，不仅可提高输出功率，还能降低接面温度，进而大幅延长系统寿命。 EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组之FF11MR12W1M1_B70及FF6MR12W2M1_B70装置已经上市

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