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讨论新闻主题﹕意法半导体新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET 大幅降低开关功率损耗

新闻 提要
意法半导体（STMicroelectronics）新推出之新超接面STPOWER MDmesh K6系列强化了几个关键参数，以降低系统的功率损失。特别适合返驰式拓扑为基础的照明应用，例如LED驱动器、HID灯，或是适用于电源适配器和平板显示器的电源。 意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列为这种超接面技术树立了兼具高性能和易用性的标准。 MDmesh K6的导通阻抗x晶片面积参数优于市面上现有800V产品，能够实现结合高功率密度并领先市场效能的紧密全新设计。 此外，K6 系列的闸极阈值电压相较上一代MDmesh K5更低，可使用更低的驱动电压，进而降低功耗并提升效能，主要用于待机零功耗的应用

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