<
帳號：
密碼：

討論新聞主題﹕Diodes的雙極電晶體採用3.3mm x 3.3mm封裝並提供更高的功率密度

新聞 提要
Diodes公司推出NPN與PNP功率雙極電晶體，採用小尺寸封裝(3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達100V與3A的應用提供更高的功率密度。新款NPN與PNP電晶體的尺寸較小，可在閘極驅動功率MOSFET與IGBT、線性DC-DC降壓穩壓器、PNP LDO及負載開關電路，提供更高的功率密度設計。 DXTN07xxxxFG(NPN)與DXTP07xxxxFG(PNP)系列以工業級消費性市場為目標，範圍涵蓋25V至100V VCEO；同時具備2W總功率消耗及最高+175°C額定作業溫度。新款電晶體採外殼用小型PowerDI 3333表面黏著封裝，尺寸僅3.3mm x 3.3mm x 0.8mm，佔用PCB的空間比傳統SOT223少70%，以散熱效率更高的封裝提供類似的功率消耗。 PowerDI3333封裝具有可潤濕側翼(wettable flank)，可提高PCB傳輸速率，促進焊接點的高速自動光學檢查(AOI)，因此無需使用X光檢查

發表新主題
主題：
文章內容：
  確認碼:  
  一般討論區
一般討論區
新聞報導論壇
活動消息論壇
專欄評析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章論述論壇
軟體應用論壇
產品應用論壇
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技術應用區
電子技術類：
電腦科技類：
網際科技類：
軟體資源類：
 
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 讀者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw