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討論新聞主題﹕英飛凌CoolSiC MOSFET與TRENCHSTOP IGBT推出新封裝

新聞 提要
相較於傳統 3 階中點箝位拓撲，進階中點箝位 (ANPC) 變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200V系列混合式 SiC 與 IGBT 功率模組新增採用 ANPC 拓撲的 EasyPACK 2B封裝。此模組分別針對 CoolSiC MOSFET 和 TRENCHSTOP IGBT4 晶片組的損耗甜蜜點進行最佳化，因此具有更高的功率密度及高達 48 kHz 的切換頻率，特別適合新一代 1500 V 太陽能光電和儲能應用的需求。 全新 ANPC 拓撲支援 99% 以上的系統效率。比起具有較低切換頻率的裝置，在像是 1500 V太陽能串列型變頻器的 DC/AC 級中實作混合式 Easy 2B 功率模組，可實現更小的線圈。因此，其重量將遠低於採用全矽組件的相應變頻器

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