<
帳號：
密碼：

討論新聞主題﹕儒卓力供貨高功率密度的威世N-Channel MOSFET

新聞 提要
SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低導通電阻(RDS(ON))可以最大限度地降低傳導損耗。此外，該器件的680pF低輸出電容(Coss)和28.7nC的最佳化閘極電荷(Qg)則可減少與開關相關的功率損耗。 與採用6x5mm封裝的類似解決方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET佔用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實現了更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測試，符合RoHS要求且不含鹵素。 這款N-Channel MOSFET的應用包括AC/DC電源中的同步整流；針對電訊、伺服器和醫療設備的DC/ DC轉換器中的初級和次級側開關；用於伺服器和電訊設備中電壓調節的半橋功率級和降壓-升壓轉換器；電訊和伺服器電源中的OR-ing功能；用於開關電容器或開關箱轉換器的功率級；電動工具和工業設備中的電機驅動控制；以及電池管理模組中的電池保護和充電

發表新主題
主題：
文章內容：
  確認碼:  
  一般討論區
一般討論區
新聞報導論壇
活動消息論壇
專欄評析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章論述論壇
軟體應用論壇
產品應用論壇
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技術應用區
電子技術類：
電腦科技類：
網際科技類：
軟體資源類：
 
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 讀者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw