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討論新聞主題﹕ST推出MasterGaN系列新款非對稱拓撲產品

新聞 提要
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）MasterGaN平台的創新優勢持續延伸，今日推出的新款MasterGaN2，是新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）電晶體的首款產品，適用於軟開關有源鉗位元反激拓撲的GaN整合化解決方案。 兩個650V常關型GaN電晶體的導通電阻（RDS(on)）分別為150mΩ和225mΩ，每個電晶體皆整合一個優化的閘極驅動器，讓GaN電晶體如普通矽元件一般便捷易用。其整合了先進驅動功能和GaN既有的性能優勢，MasterGaN2可進一步提升有源鉗位反激式轉換器等拓撲電路之高效能、小體積和輕量化優勢。 MasterGaN功率系統級封裝（SiP）系列在同一封裝整合了兩個GaN高電子遷移率電晶體（HEMT）和配套的高壓閘極驅動器，還內建了所有必備的保護功能

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