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討論新聞主題﹕Microchip推出耐固性最強的碳化矽功率解決方案 取代矽IGBT

新聞 提要
Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分離元件和電源模組。 Microchip的1700V碳化矽技術是矽IGBT的替代產品。由於矽IGBT的損耗問題限制了開關頻率，之前的技術要求設計人員在效能上做出妥協並使用複雜的拓樸結構。此外，電力電子系統的尺寸和重量因變壓器而變得臃腫，只有提高開關頻率才能減小尺寸。 新推出的碳化矽系列產品使工程師能夠捨棄IGBT，轉而使用零件數量更少、效率更高、控制方案更簡單的兩級拓樸結構。在沒有開關速度的限制情況下，功率轉換單元的尺寸和重量可以大幅減少，可在有限空間來建立更多充電站，提供更多空間來運送乘客和貨物，或者延長重型車輛、電動巴士和其他電池驅動商業車輛的續航能力和執行時間，所有這些都可以降低整體系統成本

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