<
帳號:
密碼:

討論文章主題﹕用於單端諧振逆變器之FS SA T IGBT

文章 提要
高壓 IGBT 的性能已得到極大改進。 當今最流行的 IGBT 技術為場截止 IGBT(Field Stop IGBT),該技術結合貫穿型(PT)及非貫穿型(NPT)IGBT 結構的優點,同時克服每種結構的缺點。 FS IGBT 在導通期間具有更低的飽和電壓降 VCE(sat),且在關斷瞬間具有更低的開關損失。 然而,與所有其它類型的 IGBT 一樣,由於沒有內嵌體二極體,它在大多數開關應用中通常與額外的快速恢復二極體 (FRD) 一起封裝。 本文將介紹快捷半導體之第二代 1400V 場截止陽極短路溝槽式(Field Stop-Shorted Anode Trench)IGBT ,與一般 IGBT 不同,它具有內嵌體二極體,且其在單端(Single Ended)諧振逆變器中的有效性適用於感應加熱(Induction Heating) 應用

發表新主題
主題:
文章內容:
  確認碼:  
  一般討論區
一般討論區
新聞報導論壇
活動消息論壇
專欄評析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章論述論壇
軟體應用論壇
產品應用論壇
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技術應用區
電子技術類:
電腦科技類:
網際科技類:
軟體資源類:
 
刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2019 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw