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討論文章主題﹕Cree謀轉型發展碳化矽 獨霸SiC晶圓市場

文章 提要
相較於第一代半導體材料的矽（Si）與第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs），碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等第三代寬能隙半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性，更適合5G基地台、電動車充電樁等應用領域

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