很多人都在從事半導體更微小製程的突破，但還是以現有的設備製程來發展最為經濟。日前加州大學聖地牙哥分校的研究人員，就發表了在微顯影上的重大突破，他們利用CO2雷射系統產生的超紫外線顯影技術(EUVL)，以較的長脈衝取代短脈衝，再加上鏡面系統的放大器(如圖)，成功地產生更強的效果。此一發現，可望成為下一代的半導體顯影工具，領導此一研究的科學家Mark Tillack表示，正在研究CO2雷射其它方面的應用。(圖/UC San Diego)