矽通孔技術（Through Silicon Via；TSV）是在晶片和晶片間、晶圓和晶圓間製作垂直導通，實現晶片互連的最新技術。與過去IC封裝鍵合和使用凸點的疊加技術不同，TSV能使晶片在三維方向堆疊的密度最大，尺寸最小，大幅改善晶片速度和功耗，是發展3D IC的關鍵技術。在未來兩年內，業界將開始逐步使用TSV來進行多晶片的整合。目前TSV已被用於CMOS影像感測器量產，而用於晶片堆疊的TSV技術也逐步實現中，預計2010年就會量產。（圖/Aviza）