多铁电(Multiferroic)是一种极特殊的材料，可同时具有电与磁的特性，并展现出复杂的晶格、自旋、电偶极交互作用等行为，是开发新一代电子组件的重要材料。日前，美国柏克莱大学的科学家，研究出一种新的多铁电应用技术，透过该技术可产生、消除，甚至转换P-N半导体接面（ｐ-ｎ junction），对于研发新一代半导体技术有绝对的帮助。图为该技术的电磁摄影，右边的矩型代表「ON」；左边则是代表「OFF」。（图/ Berkeley Lab）