全球第一款纯硅晶为基础的电阻内存（Resistive RAM），日前由英国伦敦大学（UCL）研发成功，这个内存不仅可以在一般的环境温度下运作，并有望开启全新的超快内存时代。电阻内存的储存性能比现有的闪存技术更强，不但体积更小，也更省电，对于目前的行动运算装置来说，是更适合的储存解决方案。（图/UCL）