2016年12月14日 星期三	【科技日報編輯部報導】

格羅方德公司(GLOBALFOUNDRIES)宣佈已證實運用14奈米FinFET製程在矽晶片上實現真正長距離56Gbps SerDes性能。 作為格羅方德高性能ASIC產品系列的一部分，FX-14具有 56Gbps SerDes，致力於為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備。

成熟的ASIC IP解決方案將大幅提高下一代高速應用的性能和能效?

格羅方德56Gbps SerDes內核同時支援PAM4和NRZ訊號傳導，可補償超過 35dB 的插入損耗，因而無須在目前極具挑戰性的系統內容中部署昂貴的高功耗中繼器。56Gbps SerDes採用突破性的創新架構，實現了先進的長距離傳輸性能，甚至超越了OIF CEI-56G-LR和IEEE 802.3cd等新興的50Gbps行業標準。

FX-14 產品可提供多種高速 SerDes (HSS) 解決方案，其製造基礎是位於紐約州馬爾他市Fab 8 工廠內的成熟且經生產驗證的 14奈米FinFET (14LPP) 平台。 一流的高性能56Gbps架構可提供先進的抖動性能和均衡支援，可在多種高速介面標準下強化系統性能，並可為當前及未來的頂尖網路、運算和儲存應用構建高速連接和低功耗的解決方案。

「這一里程碑彰顯出我們能夠設計出最佳化的 ASIC 解決方案，並以極具競爭力的功率和晶片面積為最為嚴苛的網路和資料中心應用提供56Gbps性能。」格羅方德全球銷售和業務開發部高級副總裁Mike Cadigan表示:「憑藉成功且歷經考驗的SerDes開發和ASIC技術經驗，並與格羅方德的 14LPP技術完美結合，我們將助力客戶通過集成且高性能的內核將新應用經濟高效地推向市場。」

「網路頻寬的爆發式提升，持續推動著具有領先的介面速度和密度的ASIC解決方案的需求，」林利集團 (Linley Group) 首席分析師 Bob Wheeler指出：「格羅方德可提供尖端 SerDes 內核，實現一流 ASIC 解決方案的快速上市，同時提高下一代網路設備的頻寬容量、可擴充性和能效。」

憑藉眾多優勢，諸如具有超高性能56Gbps SerDes、PCI Express和多個 30Gbps SerDes 設計，亦支援多種外置記憶體介面，格羅方德 FX-14 設計系統進一步鞏固了公司在HSS 方面的地位。格羅方德的嵌入式記憶體解決方案包括行業最快和功耗最低的嵌入式TCAM，與前代產品相比，其性能提高60%，漏電率降低80%，而SRAM 的密度和性能也有所優化。

目前，客戶正在設計基於14LPP製程技術的高級ASIC解決方案，該方案使用 56Gbps和其他FX-14 SerDes內核。56Gbps SerDes技術目前正在客戶管道中展示，而開發板將於2017年第一季度初投放市場。針對下一代資料通信網路，格羅方德正在開發易於遷移的先進電氣解決方案和光學替代解決方案，以便讓多種技術實現112Gbps及以上的通信能力。（編輯部陳復霞整理）