2017年07月13日 星期四	【科技日報陳復霞整理報導】

【美國德州普拉諾訊】Diodes公司推出的SDT蕭特基二極體系列，使用先進的深溝製程，提供出色效能，且成本比平面型蕭特基二極體相近甚至更低。初始的29個裝置系列產品，採用熱效率封裝，提供阻流、自由轉輪、返馳與其他二極體功能，適合廣泛的產品應用，例如AC-DC充電器/轉接器、DC DC 上/下轉換及AC LED照明。

SDT蕭特基二極體系列採用熱效率封裝，提供阻流、自由轉輪、返馳與其他二極體功能。

Diodes公司的創新深溝製程，使SDT蕭特基二極體系列可達到最低0.62V的順向電壓 (VF)，及 3.5μA的漏電流。如此的效能造就傑出的功率效率，使終端系統設計採用更為精巧的外型。此系列產品中，提供5A至40A的最大平均整流電流額定，峰值重複反向電壓(VRRM)最高達120V，順向突波電流 (IFSM)最高達280A，確保完整溫度範圍內擁有可靠的系統運作。

PowerDI5、TO220AB及ITO220AB封裝選項，都能提供絕佳的熱能轉移特性，使SDT蕭特基二極體系列能在嚴苛的應用中進行可靠運作。這些封裝極為適合大量製造，SDP零件可做為直接替換零件，取代一般平面型蕭特基二極體。