2018年02月09日 星期五	【科技日報報導】

安譜隆半導體（Ampleon）推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器電晶體。

安譜隆SOT502 ISM頻段小型射頻功率放大器，用於900至930MHz ISM頻段中的工業加熱連續波（CW）射頻能量應用。

這是第一款採用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS製程的射頻能量電晶體——該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化。它設計用於900至930MHz ISM頻段中的工業加熱連續波（CW）射頻能量應用。該電晶體採用小型陶瓷SOT502封裝，結合了大輸出功率和以小尺寸提供同類最佳工作效率的優勢。此舉減少了所需的空間，從而降低了放大器設計的成本。

由於其高工作效率——通常高於68%，其冷卻需求也保持在最低限度，這有助於進一步降低所需的空間。

BLF0910H9LS600具有高增益的優勢——其19.8dB的典型增益是在915MHz CW AB類應用中以50V V_DS測得——這有助於提高放大器的整體效率。

透過使用2個這種小型SOT502封裝的600W電晶體，設計師可以在與單個SOT539封裝相同的空間中搭建出一個1.2kW的射頻功率放大器。這種架構還有助於降低電晶體溫度，從而有效實現比單個SOT539解決方案更高的效率。

BLF0910H9LS600內建了ESD保護和內部輸入匹配。此匹配增加了電晶體的輸入阻抗，簡化了PCB匹配結構的設計，從而可實現緊湊的放大器設計。