2020年10月08日 星期四	【科技日報報導】

近年來，隨著汽車電子化加速，汽車電子和半導體元件數量也呈現增加趨勢。因此，必須要在有限的空間裡安裝更多元件，使安裝密度也能夠越來越高。例如，1個車電ECU中的半導體和積層陶瓷電容的平均使用數量，預計將從2019年的186個，增加約三成至2025年的230個。

ROHM推出的1cm2超小型車電MOSFET提升了散熱性與安裝可靠性，適用於車電ECU和ADAS應用等高密度需求設備

為了滿足安裝密度越來越高的車電應用需求，市場對於元件體積的要求也越來越高，因此能夠兼顧小型化和高散熱性的底部電極封裝產品逐漸受到青睞。半導體製造商ROHM研發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101，尺寸僅為1.0mm×1.0mm的超小型MOSFET「RV8C010UN」「RV8L002SN」「BSS84X」。

新產品採用ROHM獨創的Wettable Flank成型技術，以1.0mm×1.0mm的超小尺寸確保封裝側面電極部分的高度可達125μm。在要求高品質的車電應用上，安裝重要元件後會進行自動光學檢查（AOI），打造出了非常出色的焊接可靠性。此外，通常小型化和高散熱性之間存在著取捨(Trade-off)關係，而採用底部電極結構的新封裝同時兼顧了兩者，因此非常適用於電路板有高密度需求的車電ECU和先進駕駛輔助系統（ADAS）等相關應用。

新產品已於2020年9月起暫以每月10萬個的規模投入量產（樣品價格：100日元/個，未稅）。

另一方面，為了確保車電元件的可靠性，雖然安裝元件後會進行AOI，但由於底部電極封裝只在底部有電極，故無法仔細確認焊接狀態，要進行符合車電標準的AOI會有一定難度。

新產品使用ROHM獨創Wettable Flank成型技術，成功解決了上述課題，進而開發出業界最小車電用超小型MOSFET，目前也陸續導入至各車廠中。未來除了MOSFET，ROHM也會積極擴充雙載子電晶體和二極體等產品線。

新品特點

．ROHM獨創Wettable Flank成型技術 確保封裝側面電極部分高度達125μm

採用傳統技術的底部電極封裝，因為無法在引線框架側面電鍍加工，故無法保有車電所需的焊料高度，並且難以進行AOI檢測。本次新產品採用ROHM獨創Wettable Flank成型技術，能夠以引線框架上限電鍍加工，並以1.0mm×1.0mm的尺寸，確保封裝側面電極部分的高度可達125μm。因此即使是底部電極封裝，也可以穩定焊料圓角，並以元件安裝後所進行的AOI，仔細確認焊接狀態。

．替換成超小型、高散熱性MOSFET 對應電路板的高密度需求

新產品尺寸僅為1.0mm×1.0mm（DFN1010封裝），卻保有與2.9mm×2.4mm尺寸（SOT-23封裝）相同的性能，因此安裝面積可減少85%左右。不僅如此，使用散熱性優異的底部電極後，與SOT-23封裝相比，可將散熱性提高65%。也就是說，新產品兼顧了小型化與高散熱性，非常適用於電路板有高密度需求的車電ECU和ADAS相關應用。

ROHM新款超小型MOSFET可用於開關和反接保護應用相關的通用產品，例如自動駕駛控制ECU車電資訊娛樂系統、引擎控制ECU、行車記錄器、ADAS相關應用等。