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地圖上的晶片戰：從全球建廠熱潮看懂下一波地緣秩序 (2026.06.26)
過去三十年，全球化追求的是「哪裡便宜哪裡做」的極致效率，這讓亞洲成為全球半導體的製造心臟。然而，隨著國際局勢的劇烈變動，各國政府猛然驚醒——在這個時代，晶片就是新時代的石油，誰掌控了製造，誰就掌控了國家安全的命脈 |
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國科會通過8案投資57.8億元 矽光子與2奈米等前瞻技術進駐科學園區 (2026.06.25)
國家科學及技術委員會科學園區審議會第33次會議今(25)日召開，會中通過8件投資案(其中1件不公開)，投資總額計新臺幣57.8億元，此外尚有5件增資案，合計增資532億元。本批核准投資案涵蓋半導體、光電及通訊能源等前瞻科技領域，將持續為臺灣科技產業注入創新動能 |
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IBM全球首發次奈米晶片技術 推動半導體產業未來10年發展 (2026.06.25)
IBM今（25）日發表全球首見的次奈米（Sub-1nm）晶片技術，並採用革新性的0.7奈米電晶體架構，對於面臨傳統晶片尺寸縮放物理極限的半導體產業來說，具有里程碑意義，並導入電腦、家用電器、通訊設備、交通運輸系統和關鍵基礎設施等領域，發揮至關重要的功用 |
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記憶體吞噬AI算力 美光財報背後HBM產能卡位戰方興未艾 (2026.06.25)
記憶體大廠美光（Micron）最新公布的 2026 會計年度第三季（3月至5月）財報震驚全球市場。單季銷售額達 414.56 億美元，年增高達 4.5 倍；淨利潤暴增 15 倍至 282.43 億美元，毛利率更衝上難以想像的 86% |
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Nearfield完成3.8億美元D輪融資 創荷蘭deep-tech最大募資紀錄 (2026.06.23)
Nearfield Instruments 成功完成總額達 3.8 億美元（約 123 億新台幣）的 D 輪融資。本輪融資完成後，公司估值達 16 億美元， 是Nearfield 發展為半導體量測與檢測全球領導者的重要里程碑 |
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使用EMI濾波器強化電動車動力系統合規效益 (2026.06.23)
隨著電動車電子架構日益複雜，高功率逆變器所產生的電磁干擾已成為電磁相容性（EMC）認證的重要挑戰。透過標準化車規EMI濾波器設計，可有效抑制雜訊、縮短開發週期，並提升動力系統合規效率 |
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ISC 2026德國大會開幕 聚焦量子運算與AI模型硬體硬化 (2026.06.22)
歐洲最大超算盛會「ISC High Performance 2026」今日於德國漢堡正式拉開帷幕。本屆大會匯聚了全球超過200家頂尖研究機構與科技巨擘，將於為期五天的展期中，深度探討百萬兆級（Exascale）超算、量子技術與實體 AI 邊緣硬體的高效融合 |
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imec突破鐵電記憶體技術 滿足AI時代海量資料與高密度需求 (2026.06.19)
本周2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）發表了有關鐵電記憶體研究的兩大進展，鎖定鐵電電容器與鐵電場效電晶體（FET）這兩者作為實現低電壓運作和高密度記憶體整合的潛力方案 |
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英特爾於2026 VLS發表18A-P製程與GaN+Si數位電源技術 (2026.06.19)
英特爾（Intel）在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上，首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展，並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片（GaN+Si）單片整合技術 |
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日本OIST發表全新簡化高NA EUV設計 大幅降低半導體功耗與成本 (2026.06.18)
沖繩科學技術大學院大學（OIST）新田特束教授17日於《微/奈米圖案化、材料與計量學期刊》（JM3）發表一項創新性的光學硬體破局技術，宣布對高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）曝光機的照明與投影系統進行激進重構，解決半導體光學功耗與昂貴資本支出瓶頸 |
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Sony與imec推出高密度晶背連接模組 實現新一代3D晶片整合 (2026.06.17)
於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）與索尼（Sony）共同發表一套用來建立超高密度晶背內連的創新整合模組，這些連接是3D堆疊和晶背功能化技術的關鍵組件 |
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艾司摩爾、台積電與imec合作實現12吋晶圓整合創新 (2026.06.16)
於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）攜手微影解決方案大廠艾司摩爾（ASML）與晶圓代工大廠台積電（TSMC），共同發表一套創新、穩健且可擴充的12吋晶圓整合技術路徑，用於基於2D材料的n型與p型場效電晶體（FET） |
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突破記憶體密度瓶頸 CEA-Leti推出22奈米3D FeRAM (2026.06.16)
法國半導體研究機構CEA-Let日前於檀香山舉行的VLSI會議上，發表在22奈米製程節點上，利用創新的3D電容器架構展示了鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）。解決了長期限制FeRAM密度的瓶頸，使其能與揮發性記憶體競爭 |
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SEMI：2026年第一季全球半導體製造設備銷售額年增14% (2026.06.15)
SEMI國際半導體產業協會日前公布最新「全球半導體設備市場報告」（WWSEMS；Worldwide Semiconductor Equipment Market Statistics）。報告指出，2026年第一季全球半導體製造設備銷售額達365.5億美元，較2025年同期成長14%，並較前一季增加1%，創下單季歷史新高紀錄 |
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AI續強與消費端提前備貨 前10大晶圓廠Q1營收季增3.7% (2026.06.15)
延續今年AI HPC與相關周邊訂單仍如火如荼出貨熱潮，加上Q1基於TV、PC/NB等供應鏈提前生產出貨、並提高周邊IC庫存水位措施，晶圓代工廠商陸續接獲客戶提前生產或加單訂單 |
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臺大與鋒霈科技研發新技術 低濃度含氟廢水變身循環資源 (2026.06.10)
臺灣半導體製程產生的低濃度含氟廢水長期面臨處理成本高、難以回收的困境。在國科會支持下，國立臺灣大學環境工程學研究所特聘教授侯嘉洪研究團隊，攜手鋒霈環境科技股份有限公司，成功研發出創新的「電驅動分離濃縮技術」，將原本難以利用的低濃度含氟廢水轉化為可再利用的循環資源，為半導體產業的淨零轉型帶來重大突破 |
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GaN與SiC如何解開AI能源封印？ (2026.06.10)
在AI這個由矽晶片與光纖交織成的虛擬未來裡，人類文明的瘋狂演進，最終依賴的依然是我們管理電子的能力。每一分轉換效率的提升，每一微秒的故障隔離，背後都是無數工程師與半導體材料的生死搏鬥 |
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格棋化合物半導體榮獲第22屆台灣金根獎 (2026.06.10)
台灣碳化矽（SiC）材料廠格棋化合物半導體獲第22屆台灣金根獎肯定。台灣金根獎以「深耕台灣、佈局全球」為核心精神，表揚以台灣為營運根基、具備國際市場拓展能力與產業競爭力的企業 |
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半導體廢水再生新契機 「電驅動分離濃縮技術」促含氟廢水資源化 (2026.06.10)
面對現今半導體產業高度依賴水資源，但在半導體與電子製程中產生的含氟廢水卻因為處理與再利用困難，長期被視為高成本、高負荷的棘手問題。在國科會支持下，臺灣大學環境工程學研究所特聘教授侯嘉洪研究團隊今（10）日發表成功創新的「電驅動分離濃縮技術」 |
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ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的SiC MOSFET產品被選定為支援次世代電源系統的SiC功率元件 |
