CTIMES - 搜尋：晶圆制程

工研院攜手荷蘭商Altum RF與稜研科技開發衛星通信系統 (2022.12.16)
為了達到高速且低延遲的通訊品質，高頻毫米波的處理器、低成本射頻零組件，整合多元零組件於單一模組的封裝天線（Antenna in Package；AiP）成為各廠必爭之地。工研院攜手荷蘭商Altum RF與台灣的稜研科技，投入擁有更高輸出功率性能、功率密度高的衛星通信系統開發，以高速、低雜訊元件在低軌衛星通訊供應鏈中站穩關鍵模組地位

西門子：以綠色數位企業方案和半導體產業一同邁向永續！ (2022.09.15)
受新冠疫情與國際政治的雙重夾擊，半導體產業的運營風貌起了劇烈的改變。業者所面臨的，是一個全新的經營挑戰，更加快速、更加不穩定，同時風險也越高；再加以極端氣候所引動的全球節能減碳的趨勢，又進一步提升了營運的門檻，於是導入新形態的數位製造與管理系統，就成了現今半導體產業的新顯學

迎接半導體與電子業新紀元海德漢解決方案大幅提升精度與效能 (2022.09.13)
因應半導體前端製程中的晶粒微小化、封裝製程晶片堆疊複雜化與PCB板上的更高元件密度等，帶動了電子半導體業高速發展，以及在量測與運動平台更高精度、性能的需求

Micro LED用於AR眼鏡晶片估2026年產值達4,100萬美元 (2022.07.02)
迎接元宇宙世代降臨，根據TrendForce最新Micro LED報告研究顯示，在眾多Micro LED顯示應用領域中，又以Micro LED微型顯示器會是接續大型顯示器發展的新型高階產品，預估截至2026年為止，用於AR智慧眼鏡顯示器晶片的產值將達到4,100萬美元

英飛凌投資擴大馬來西亞前端製造工廠提升SiC和GaN產能 (2022.02.22)
為了大幅提升寬能隙（碳化矽和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。英飛凌科技將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區

工研院開發複雜流體製程監測系統助產業數位轉型 (2022.01.27)
經濟部技術處以科技專案，支持工研院開發全球首創「複雜流體製程監測系統」，以機器視覺技術結合大數據分析，輔助人工辨識結晶生成狀態，可大幅提升結晶製程良率，目前已與食品大廠合作驗證，為民眾帶來更高品質及高產量的食品，未來也預計將技術導入製藥、化工等產業，帶動多元創新應用商機

碳化矽基板及磊晶成長領域環球晶布局掌握關鍵技術 (2021.06.18)
在化合物半導體材料領域，環球晶在碳化矽晶片領域的專利佈局，著重碳化矽晶片的表面加工方法以及磊晶技術。唯有掌握關鍵技術、強化供應鏈及提升半導體晶圓地位，才能夠在國際市場上脫穎而出

展併購Cypress成效英飛凌發表高功率密度充電器電源方案 (2021.05.04)
英飛凌科技（Infineon），今日在台北舉行「高功率密度充電器電源解決方案」記者會。尤其在完成併購賽普拉斯半導體（Cypress）公司之後，英飛凌整合雙方產品線，推出應用領域更完備的USB PD電源解決方案，對應供電瓦數範圍最高可達100W，可滿足各式電池充電產品的充電需求

ST收購氮化鎵創新企業Exagan股權擴大高頻大功率開發計畫 (2020.03.11)
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）已簽署收購法國氮化鎵（GaN）創新企業Exagan多數股權的併購協議。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動意法半導體之車用、工業和消費性功率GaN的研發和業務

新世代的電力電子將讓電動車更便宜、更有效率 (2019.03.11)
：歐盟的HiPERFORM將推出寬能隙的電力電子，並運用在下世代的電動車之中。

碳化矽元件的市場發展關鍵：晶圓製造 (2018.10.03)
碳化矽有很高的硬度，僅次於金剛石，需要在極高溫才能燒熔，再加上生產條件的控制難度大，導致碳化矽晶圓量產不易，直接影響了終端晶片與應用的發展。

意法半導體和Leti合作開發矽基氮化鎵功率轉換技術 (2018.09.28)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研發矽基氮化鎵（GaN）功率切換元件製造技術。該矽基氮化鎵功率技術將讓意法半導體滿足高效能、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器

Mentor強化支援台積電5nm、7nm製程及晶圓堆疊技術的工具組合 (2018.05.02)
Mentor宣佈該公司Calibre nmPlatform 和Analog FastSPICE (AFS) 平台中的多項工具已通過台積電(TSMC)最新版5奈米FinFET和7奈米 FinFET Plus製程的認證，Mentor 亦宣佈，已更新其 Calibre nmPlatform工具，可支援台積電的Wafer-on-Wafer (WoW)晶圓堆疊技術，這些 Mentor工具以及台積電的新製程將能協助雙方共同客戶更快地為高成長市場實現矽晶創新

全球百大科技研發獎出爐工研院奪九大獎項 (2017.11.20)
獲獎技術名稱得獎技術說明技轉廠商人工智慧建築節能系統平台只要15-30幾分鐘就能計算出整棟建築物的耗能，提供最佳的節能良方，目前已用在華南銀行全國150間分行、全家便利商店，潤泰集團旗下之潤弘精密工程，亦即將採用於評估建築節能分析

最新平面型功率MOSFET系列UniFET II MOSFET問世 (2013.08.19)
高電壓功率 MOSFET 一般分為兩大類：超接面（SJ : Super Juction）MOSFET 和平面型 MOSFET。由於其電荷平衡結構和更小的輸入柵極電荷（Qg），SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的導通電阻（RDS(on)）和更快的開關性能

台積電：高效能行動GPU成先進製程推力 (2013.03.26)
隨著GPU日益成為影響下一代SoC面積、功率和效能的重要關鍵，以及設計人員可採用的先進矽晶製程選項越來越複雜，因此必須為設計流程和單元庫進行最佳化調校，才能使設計團隊在日趨縮短的時程內達成最佳的效能、功耗和晶片面積目標

創紀錄的有機太陽能電池 (2012.09.02)
一款轉換效率達到9.2%的有機太陽能電池將在2013年推出市場，並將與傳統的矽晶太陽能電池展開競爭。相較於矽晶製程，有機太陽能電池的優勢在於低成本與易整合，但由於塑化材料的限制，因此穩定度低且壽命短，難以在商用市場上突破

單元四: MOCVD磊晶技術製程實作研習班 (2012.08.17)
課程介紹實驗室實際操作課程，限額12人，名額有限，請速報名！！ LED結構通常以MOCVD設備進行量產，MOCVD磊晶技術將悠關整體LED結構良率與亮度，MOCVD磊晶需具備多方面知識備景，同時MOCVD參數多樣將影響 Run機成果，本課程介紹MOCVD磊晶原理與應該注意事項，同時介紹目前業界對 LED於磊晶可能面臨相關問題先行進行預防