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imec突破鐵電記憶體技術 滿足AI時代海量資料與高密度需求 (2026.06.19)
本周2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)發表了有關鐵電記憶體研究的兩大進展,鎖定鐵電電容器與鐵電場效電晶體(FET)這兩者作為實現低電壓運作和高密度記憶體整合的潛力方案
日本OIST發表全新簡化高NA EUV設計 大幅降低半導體功耗與成本 (2026.06.18)
沖繩科學技術大學院大學(OIST)新田特束教授17日於《微/奈米圖案化、材料與計量學期刊》(JM3)發表一項創新性的光學硬體破局技術,宣布對高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)曝光機的照明與投影系統進行激進重構,解決半導體光學功耗與昂貴資本支出瓶頸
Sony與imec推出高密度晶背連接模組 實現新一代3D晶片整合 (2026.06.17)
於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)與索尼(Sony)共同發表一套用來建立超高密度晶背內連的創新整合模組,這些連接是3D堆疊和晶背功能化技術的關鍵組件
艾司摩爾、台積電與imec合作實現12吋晶圓整合創新 (2026.06.16)
於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)攜手微影解決方案大廠艾司摩爾(ASML)與晶圓代工大廠台積電(TSMC),共同發表一套創新、穩健且可擴充的12吋晶圓整合技術路徑,用於基於2D材料的n型與p型場效電晶體(FET)
神經遙測重大進展:新型晶片實現10倍壓縮 同時維持訊號完整性 (2026.06.04)
目前正在全面探索治療認知、感官和動作失調及相關障礙的新方法—從恢復癱瘓患者的動作、直覺控制義肢到重建語言與視覺。同時,神經科學也在持續推動更高性能的工具,以探測神經動力學和釐清意識背後的運作機制
突破200奈米內連間距!imec攜手EV集團展示晶圓級異質接合技術 (2026.05.31)
於本周舉行的2026年IEEE電子元件與技術會議(ECTC)上,比利時微電子研究中心(imec)攜手EV集團(EVG)共同發表一項發展穩健且產量高的晶圓級異質接合技術,成功在一款具備可佈線內連導線的測試元件上展示200奈米的銅內連墊片間距
imec展示首款3D電荷耦合元件 鎖定AI記憶體應用 (2026.05.13)
在類似3D NAND的架構內製造電荷耦合元件(CCD)的可行性有助於推動具備高成本效益的高位元密度記憶體方案,以應對AI特定工作負載所面臨的記憶體牆挑戰。
imec獲High-NA EUV系統 推動業界步入埃米世代 (2026.03.19)
比利時微電子研究中心(imec)近日宣布所採購的ASML最新EXE:5200高數值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影系統已順利到廠,將進一步確立其在埃米時代扮演產業發展基地的關鍵地位,並提供其全球夥伴生態系統提前取得新一代晶片微縮技術的空前機會
imec獲High-NA EUV系統 推動業界步入埃米世代 (2026.03.19)
比利時微電子研究中心(imec)近日宣布所採購的ASML最新EXE:5200高數值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影系統已順利到廠,將進一步確立其在埃米時代扮演產業發展基地的關鍵地位,並提供其全球夥伴生態系統提前取得新一代晶片微縮技術的空前機會
imec光阻劑減量:MOR曝光後烘烤步驟注入氧氣成為產量關鍵推手 (2026.03.03)
日前舉行的2026年國際光學工程學會(SPIE)先進微影成形技術會議(Advanced Lithography + Patterning Conference)上,比利時微電子研究中心(imec)展示在EUV微影曝光後步驟精準控制氣體成分有助於盡量減少所需的曝光阻劑,進而推動晶圓產量增加
imec光阻劑減量:MOR曝光後烘烤步驟注入氧氣成為產量關鍵推手 (2026.03.03)
日前舉行的2026年國際光學工程學會(SPIE)先進微影成形技術會議(Advanced Lithography + Patterning Conference)上,比利時微電子研究中心(imec)展示在EUV微影曝光後步驟精準控制氣體成分有助於盡量減少所需的曝光阻劑,進而推動晶圓產量增加
3nm TCAM技術量產 與次世代AI晶片提升能源效率 (2026.02.23)
為了應對AI數據中心日益增長的電力需求,半導體產業在2026年初有了新的架構突破。瑞薩電子(Renesas Electronics)於近期發表了領先業界的3nm TCAM(內容定址記憶體)技術,這項技術能在極低功耗下實現高密度的數據檢索,對於自動駕駛SoC與邊緣運算設備的性能提升具有關鍵影響
3nm TCAM技術量產 與次世代AI晶片提升能源效率 (2026.02.23)
為了應對AI數據中心日益增長的電力需求,半導體產業在2026年初有了新的架構突破。瑞薩電子(Renesas Electronics)於近期發表了領先業界的3nm TCAM(內容定址記憶體)技術,這項技術能在極低功耗下實現高密度的數據檢索,對於自動駕駛SoC與邊緣運算設備的性能提升具有關鍵影響
歐盟啟動NanoIC晶片試產線 推進先進製程與AI競爭力 (2026.02.13)
在全球半導體競爭日益激烈的局勢下,歐盟正式啟動 NanoIC 晶片試產線(NanoIC pilot line),意圖強化本土先進半導體研發與製造能力,並縮小與亞洲、美國先進晶片製造的技術差距
歐盟啟動NanoIC晶片試產線 推進先進製程與AI競爭力 (2026.02.13)
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imec採用EUV微影技術 展示固態奈米孔首次晶圓級製造 (2026.02.03)
於今年IEEE國際電子會議(IEDM),imec展示運用極紫外光(EUV)微影技術首次成功完成的固態奈米孔晶圓級製造。固態奈米孔作為分子感測應用的有力工具,正在逐漸興起,但還未進行商業化
imec採用EUV微影技術 展示固態奈米孔首次晶圓級製造 (2026.02.03)
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imec推出NanoIC製程設計套件 加速研發邏輯和記憶體微縮技術 (2026.02.03)
迎合現今AI熱潮對於先進邏輯和記憶體需求,由比利時微電子研究中心(imec)協調整合的歐洲研究計畫奈米晶片(NanoIC)試驗製程,持續致力於加速2奈米以後的晶片技術創新
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迎合現今AI熱潮對於先進邏輯和記憶體需求,由比利時微電子研究中心(imec)協調整合的歐洲研究計畫奈米晶片(NanoIC)試驗製程,持續致力於加速2奈米以後的晶片技術創新
日本加碼5,000億日圓補貼Rapidus 力拚2027實現2奈米本土量產 (2026.01.02)
日本政府為重振半導體強權地位,宣布將追加 5,000 億日圓(約新台幣 1,100 億元)的巨額補貼,挹注給被譽為國家隊的半導體企業 Rapidus。這項動作不僅展現了日本政府不計代價重返尖端製造的決心,更標誌著全球 2 奈米製程競賽正式進入台、美、韓、日四強鼎立的新戰局


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