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英飛凌推出硫化氫防護功能產品 助力延長IGBT模組壽命 (2020.07.09)
強固性及可靠性決定了模組在嚴峻應用環境中的使用壽命。尤其是暴露於硫化氫(H2S)的環境,對於電子元件的使用壽命更有嚴重的影響。為解決此項威脅,英飛凌科技開發了一項全新的防護功能,推出搭載TRENCHSTOP IGBT4晶片組的EconoPACK+模組,是Econo系列第一款為變頻器應用提供此防護等級的產品
2020年汽車電子行業趨勢 (2020.06.12)
交通應用將在2020年持續轉型。在汽車市場,電動汽車的採用和主動安全性仍加速推動功率半導體和感測器業務的強勁增長。
Cree與StarPower助客車廠商開發SiC電機控制器系統解決方案 (2020.06.10)
宇通客車(宇通集團)於日前宣佈,其新能源技術團隊正在採用基於科銳(Cree, Inc.)1200V SiC元件的Stare半導體功率模組,開發更高效率,更快,更小,更輕,更強大的電機控制系統,各方共同推進SiC逆變器在新能源大巴領域的商業化應用
在新冠疫情中升溫的5G基地台電子元件商機 (2020.06.02)
百業幾近蕭條的局面,5G建設卻逆勢成長,成為疫情之下最受注目的發展。
是德全新Infiniium MXR系列混合信號示波器 配備首見高達6GHz類比通道 (2020.05.13)
是德科技(Keysight Technologies Inc.)是推動全球企業、服務供應商和政府機構網路連接與安全創新的技術廠商,該公司日前宣布推出業界首見的8合1桌上型示波器,具有8個可高達6GHz類比通道與16數位通道,可協助工程師透過一台儀器執行不同量測,大幅降低測試工作台和工作流程複雜性,進而實現高效能、準確且可重複的多通道量測
5G來臨 帶動AIoT需求起飛 (2020.04.01)
到了5G時代,重心則轉往工業領域的垂直應用,而在諸多應用之中,「製造、醫療、能源」將會是最主要的市場,而這也是AIoT架構的最主要應用場域。
ST收購氮化鎵創新企業Exagan股權 擴大高頻大功率開發計畫 (2020.03.11)
半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics;ST)已簽署收購法國氮化鎵(GaN)創新企業Exagan多數股權的併購協議。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動意法半導體之車用、工業和消費性功率GaN的研發和業務
5G來臨 氮化鎵將逐步取代LDMOS (2020.03.02)
光電協進會(PIDA)指出,氮化鎵(GaN)將逐步取代基地台射頻功率放大器中的LDMOS。儘管LDMOS技術目前仍佔最大的營收部分,但為了要支撐次世代無線網路元件更高頻、更高效率,設備製造商和運營商張開雙臂的擁抱GaN元件,特別是在30 GHz至300 GHz的更高頻率5G部署(包括毫米波段)
英飛凌推出CoolSiC MOSFET 650V系列 進一步降低切換損耗 (2020.02.25)
英飛凌科技持續擴展其全方位的碳化矽(SiC)產品組合,新增650V產品系列。英飛凌新發表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求,包括:伺服器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等
意法半導體與台積電合作加速市場採用氮化鎵產品 (2020.02.24)
橫跨多重電子應用領域的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics;ST)與全球專業積體電路製造服務領導者台積公司攜手合作加速氮化鎵(Gallium Nitride;GaN)製程技術的開發,並將分離式與整合式氮化鎵元件導入市場
用於射頻前端模組的異質三五族CMOS技術 (2020.02.10)
隨著首批商用5G無線網路陸續啟用,愛美科為5G及未來世代通訊應用準備了下世代的行動手持裝置。
如何讓電力電子產品和光電感測器有效降溫 (2020.01.09)
愛美科感測與致動研究單位的計畫主持人Philippe Soussan及其團隊,提出了一項冷卻解決方案,該解方採用優化且基於矽的微通道結構,能夠大量排除多餘的熱能。
類比晶片需求強烈 8吋晶圓代工風雲再起 (2019.11.01)
在5G、物聯網、電動車與綠能的趨勢下,類比元件有望迎來其黃金的年代,無論是IDM廠或是晶圓代工業者,都能在這波成長中此獲利。
智能電源配置用於資料中心 (2019.10.24)
電源效能和可靠性可能是資料中心行業最重要的議題。為應對資料中心帶來的挑戰,電源配置必須更小、更緊湊、更高效和更精密。
電力資源正危急 讓我們明智使用它 (2019.10.16)
我們管理電力的方式必須改變,這有兩個原因:我們需要每瓦特功率做更多,以及需要為一切工作產生更多的功率。
Tektronix推出全新Double Pulse Test軟體 有效簡化電源效率測試 (2019.10.09)
Tektronix今天宣佈為其AFG31000任意/函數產生器推出全新的軟體擴充應用程式,讓工程師可在不到一分鐘的時間內執行關鍵的雙脈衝測試,與替代方法相較,顯著地節省了大量的時間
Power Integrations交付第100萬顆基於GaN的InnoSwitch3 IC (2019.10.01)
高壓積體電路供應商Power Integrations致力於節能型電源轉換領域,日前宣佈推出其第100萬顆InnoSwitch3切換開關IC,該產品採用了公司的PowiGaN氮化鎵技術。在Anker Innovations深圳總部的一次活動中,Power Integrations執行長Balu Balakrishnan向Anker執行長Steven Yang展示了第100萬顆基於GaN的切換開關IC
央大技轉進化光學 發展Micro LED巨量轉移技術 (2019.09.27)
在科技部創新創業激勵計畫的支持之下,中央大學研發的「大面積氮化鎵磊晶技術」成功技轉給進化光學有限公司(Microluce, Ltd.),雙方合作自主開發的磊晶設備,提出了一套不須「巨量轉移」的解決方案,避免了現今微發光二極體(Micro LED)「巨量轉移」的高成本問題,成功提升高端技術能力,讓研發成果轉化為產業價值
打造SiC走廊 科銳將於紐約州建造最大SiC工廠 (2019.09.24)
科銳(Cree)計畫在美國東海岸創建碳化矽走廊,建造全球最大的碳化矽製造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy建造一座全新的採用最先進技術並滿足車規級標準的200mm(8吋)功率和射頻(RF)晶圓製造工廠,而與之相輔相成的超級材料工廠(mega materials factory)的建造擴產正在公司特勒姆總部開展進行
科銳將在紐約州建造全球最大SiC製造工廠 (2019.09.24)
作為碳化矽(SiC)技術全球領先企業的科銳(Cree, Inc.),於今日宣佈計畫在美國東海岸創建碳化矽走廊,建造全球最大的碳化矽製造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy建造一座全新的採用最先進技術並滿足車規級標準的200mm功率和射頻(RF)晶圓製造工廠


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7 ROHM推出超高速列印熱感寫印字頭 提升產線和物流現場生產力
8 宸曜全新無風扇嵌入式電腦 採用Intel 第8/9代Core i處理器
9 HOLTEK推出TinyPowerTM 40V/150mA超低靜態電流HT75Hxx LDO系列
10 HOLTEK推出BM32S2021-1近接感應模組 偵測距離長達100cm

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