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英特爾18A製程正式商用 將與晶圓代工對手正面對決 (2026.01.08)
在 2026 年 CES 消費電子展上,英特爾(Intel)正式發表代號為Intel Core Ultra 系列 3的新一代處理器,宣告了英特爾Intel 18A 製程正式進入大規模量產與商業化階段。 Intel 18A(相當於 1.8 奈米級別)是英特爾能否重回晶圓代工領導地位的核心
蘇姿丰:AI不再只是對話 實體化與空間智能將重塑世界 (2026.01.07)
在 2026 年 CES 的主題演講舞台上,AMD 執行長蘇姿丰以一身招牌深色套裝登場,向全球宣告:AI 的競爭已從參數之爭轉向現實世界的全面落地。在長達 90 分鐘的演說中,觀察支撐未來五年科技產業發展的三大核心趨勢
日本加碼5,000億日圓補貼Rapidus 力拚2027實現2奈米本土量產 (2026.01.02)
日本政府為重振半導體強權地位,宣布將追加 5,000 億日圓(約新台幣 1,100 億元)的巨額補貼,挹注給被譽為國家隊的半導體企業 Rapidus。這項動作不僅展現了日本政府不計代價重返尖端製造的決心,更標誌著全球 2 奈米製程競賽正式進入台、美、韓、日四強鼎立的新戰局
三星祭出背後供電絕招 力拼1.4奈米架構超車對手 (2026.01.02)
半導體先進製程競賽在 2026 年開春之際便火藥味十足。繼台積電 2 奈米良率傳出捷報後,全球第二大代工廠三星電子也正式公開其 1.4 奈米(A14) 製程的關鍵突破。三星將在 1.4 奈米世代全面導入背後供電網絡」(BSPDN)技術,力求在 2027 年實現對競爭對手的技術與架構「雙重超車」
台積電2奈米良率提前破70% (2026.01.01)
根據產業調查顯示,台積電位於新竹寶山廠區的2奈米(N2)製程,試產良率已正式突破70%的大關。這一數據不僅遠超市場原先預期,更象徵著台積電在與三星、Intel 的次世代製程競賽中,已取得決定性的領先優勢
2 奈米世代良率決勝負 台積電拉開與三星的關鍵差距 (2025.12.24)
隨著 2026年智慧型手機與AI晶片邁入2 奈米(nm)元年,先進製程競賽全面升溫。供應鏈最新動向顯示,台積電位於新竹寶山與高雄的2奈米產線,在量產前夕即被核心客戶全面預訂,2026年產能幾近售罄
台積電熊本二廠傳跳階直攻2奈米 劍指海外製造中心 (2025.12.23)
台積電(TSMC)的全球布局出現重大戰略調整。近日,業界盛傳甫於 10 月下旬動工的熊本二廠(JASM Fab 2)正進行大規模「設計變更」,原先規劃的 6 奈米及 7 奈米製程,傳出將跳過 4 奈米,直接切入最先進的 2 奈米(N2)製程
記憶體暴利時代降臨 三星、SK海力士毛利率首度超車台積電 (2025.12.23)
全球半導體產業的獲利結構正迎來一場歷史性的變革。隨著AI從「模型訓練」全面跨入「大規模推理」階段,市場對高頻寬記憶體(HBM)與企業級 SSD 的需求呈現爆炸式成長
矽光子CPO-AI生態鏈座談 迎合下一代AI運算架構 (2025.12.19)
面對生成式AI推動的全球科技變革,行政院也提出「AI新十大建設」應對,全面布局數位基磐、關鍵技術與智慧應用,以強化新一代運算架構的競爭力。國科會今(19)日於新竹舉辦「臺灣矽光子CPO-AI生態鏈座談會」
碳基電磁波吸收超穎材料突破 (2025.12.19)
隨著全球對電磁波污染與訊號干擾愈加關注之際,碳基電磁波吸收材料因其輕量、化學穩定、成本效益佳與優異的電磁損耗能力,成為新一代防護技術的關鍵。 本次[東西講座]講座特別邀請黑色方案執行長吳豐宇介紹石墨烯、碳奈米管、碳纖維等多樣材料如何透過阻抗匹配與多重損耗機制有效吸收與耗散電磁能量
中國公布EUV原型機研發進展 (2025.12.19)
根據報導指出,中國在極紫外光(EUV)光刻機領域已完成原型機階段的進展。此一成果被視為中國推動高階半導體設備自主化的重要里程碑,也是外界所稱「中國曼哈頓計畫」的關鍵環節之一,顯示中國正積極嘗試突破先進製程設備長期依賴海外供應的結構性限制
三星發表10奈米以下DRAM技術 結合CoP架構與耐熱新材料 (2025.12.17)
三星電子(Samsung)與三星綜合技術院(SAIT),週二在舊金山舉行的IEEE第70屆國際電子元件會議(IEDM)上,正式發表了製造10奈米(nm)以下DRAM的關鍵技術。該技術透過Cell-on-Peri(CoP)架構將記憶體單元堆疊在周邊電路上,並導入新型高耐熱材料,成功克服製程中的高溫挑戰,為記憶體微縮化開啟新頁
imec成功在12吋CMOS晶圓超穎表面 整合膠體量子點光電二極體 (2025.12.11)
於IEEE國際電子會議(IEDM)上,imec成功展示在其12吋CMOS試驗製程開發之超穎表面(metasurface)上整合膠體量子點光電二極體(QDPD)。這套先驅方法能夠實現用於緊湊型微型化短波紅外線(SWIR)光譜感測器開發的可調式平台,建立一套用於經濟高效的高解析度頻譜成像解決方案之全新標準
AWS新一代AI晶片Trainium3問世 採用台積電3奈米製程 (2025.12.11)
亞馬遜網路服務(AWS)近期正式推出其新一代 AI 訓練晶片 Trainium3,並同步發表了 Trainium3 UltraServer 系統架構。該晶片主要定位於大規模 AI 模型訓練市場。 Trainium3 在技術規格上的一個關鍵點,是採用了台積電(TSMC)3 奈米製程
SoIC引領後摩爾定律時代:重塑晶片計算架構的關鍵力量 (2025.12.09)
SoIC不僅象徵後摩爾定律時代的技術方向,也代表台灣在全球技術競局中持續領先的關鍵力量。當全球算力需求加速成長,SoIC 將是推動未來十年半導體產業變革的核心引擎
臺師大、臺大聯手突破光催化瓶頸 掌性鈣鈦礦助攻人造光合作用 (2025.12.01)
在全球淨零浪潮推動下,如何有效利用太陽光將二氧化碳轉化為燃料,成為綠能科技競逐的前沿課題。臺師大與臺大跨校研究團隊近日在此領域取得重大突破,成功打造全新「對掌性(Chiral)鈣鈦礦CsPbBr? 光催化材料」,展現太陽能化學燃料轉換潛力
產發署核定「晶創IC設計補助計畫」28案 將創造360億商機 (2025.11.25)
為強化IC設計關鍵技術自主,經濟部產業發展署今(25)日發表「驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫」推動成果,除了說明計畫願景與近年推動成果,同時邀請獲補助的企業代表出席,分享公司計畫申請歷程、擬研發的技術及產業帶動效益
2026 ISSCC聚焦台灣研發成果 產學合作打造技術亮點 (2025.11.25)
被譽為「IC 設計界奧林匹克」的 IEEE國際固態電路研討會(ISSCC)今年再度傳來捷報。面對全球超過千篇的投稿競爭,台灣共有11篇論文入選2026年ISSCC,內容橫跨記憶體運算、AI加速器、晶片互連、車用MRAM等多項關鍵領域,再次證明台灣在全球晶片設計版圖上具有高度競爭力,並透過產學合作深化先進製程、AI晶片與系統級技術的創新動能
「國家核心關鍵技術」擴增至42項 強化鎖定軍工與太空技術 (2025.11.24)
為防範國家重要技術外流並保護營業秘密,國家科學及技術委員會(國科會)於24日預告修正「國家核心關鍵技術項目」草案。本次修訂大幅擴增清單內容,由原本的32項增加至42項,重點鎖定已邁入產業化階段的「軍工」與「太空」技術,預計於今(2025)年底前完成審議並公告實施
面對3D堆疊與混合接合挑戰 晶圓量測進入超高速時代 (2025.11.20)
隨著半導體邁向更小製程節點、3D堆疊與先進封裝設計,晶圓幾何形貌的微小差異,已成為影響良率與性能的關鍵變因。晶片設計愈複雜,材料疊層愈多,製程整合挑戰也隨之放大,在混合接合、晶背供電與高堆疊NAND等先進技術導入下,僅有奈米級的翹曲或高度偏差,都可能造成對準偏移(overlay error)、接合空隙或電性不良


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