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可在量產中實現良率管理的STT-MRAM磁性測試 (2021.06.02)
由於STT-MRAM(自旋轉移距-磁性隨機存取記憶體)具有快速、非揮發性、耐用,低功耗和可擴展的優點,是目前正迅速獲得關注的新記憶體技術之一。它是替代eFlash的強大候選者,尤其是對汽車、物聯網和其他低功耗應用特別有吸引力
2021 VLSI聚焦記憶體內運算與AI晶片 台灣供應鏈優勢再現 (2021.04.20)
國際超大型積體電路技術研討會(VLSI)是台灣半導體產業的年度盛事,今(20)日在經濟部技術處的支持下2021 VLSI順利登場,今年焦點落在目前市場最熱門的AI晶片、新興記憶體、小晶片(chiplet)系統、量子電腦、半導體材料、生物醫學電子等最新技術進展
鑑往知來 洞察不同應用領域的DRAM架構(上) (2020.08.13)
本文上篇將回顧不同DRAM架構的特色,並點出這些架構的共同趨勢與瓶頸,下篇則會提出愛美科為了將DRAM性能推至極限而採取的相關發展途徑。
鑑往知來 洞察不同應用領域的DRAM架構(下) (2020.08.13)
本文上篇已回顧了各種DRAM的特色,下篇則將進一步探討3D結構發展下的DRAM類型,並分享愛美科的DRAM發展途徑。
VLSI研討會:工研院看好新興記憶體與Chiplet興起 (2020.08.11)
由工研院主辦的半導體年度盛事「2020國際超大型積體電路技術研討會」(VLSI)於今(11)日登場,大會今年聚焦在最熱門的人工智慧(AI)、5G、量子電腦、生物電子醫學等相關技術發展與未來趨勢,並邀請到台積電、聯發科、IBM、Intel、NVIDIA、NTT Docomo、加州大學洛杉磯分校、東京大學等國內外大廠及專家學者進行分享
2020第一季全球晶圓代工產值年增3成 新冠肺炎不利後續 (2020.03.19)
根據TrendForce旗下拓墣產業研究院分析,2020年第一季晶圓代工產業延續上一季的訂單挹注與庫存回補,預估總產值僅較前一季衰退2%,年度表現受惠2019年同期基期較低,年成長近30%
格羅方德22FDX平台首款eMRAM正式量產 (2020.03.03)
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的22nm FD-SOI(22FDX)平台上的嵌入式磁隨機存取記憶體(eMRAM)已正式投入生產。同時格羅方德正與多家客戶共同合作,計劃於2020年實現多重下線生產
專注創新與品質 旺宏電子深耕記憶體產業三十年 (2020.01.09)
旺宏電子(Macronix)是專注於非揮發性記憶體的技術與解決方案,而且一路堅持了三十年。
工研院於IEDM發表下世代FRAM與MRAM記憶體技術 (2019.12.10)
工研院於今美國舉辦的IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中發表三篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM;FRAM)以及三篇磁阻隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random-Access Memory;MRAM)相關技術重要論文,引領創新研發方向,並為新興記憶體領域中發表篇數最多者
台灣半導體矢志全球AI先鋒 AITA會員暨SIG大會成立 (2019.11.26)
5G和AI是全球科技業未來5~10年的車頭燈,也是引領台灣核心產業實力的左右手,掌握此兩項技術的開發技術和創新應用,將會為台灣開拓明亮的科技新格局。 今年7月,在行政院科技會報辦公室和經濟部協助下
3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25)
愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制,以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。
2019年10月(第336期)異質整合-晶片設計新「封」潮 (2019.10.07)
智慧手機的問世,給半導體產業設定了一個明確的目標, 就是晶片體積只能愈來愈小,同時功能還要愈來愈強大。 接著IoT來了,更多元的想像又被加了上去, 晶片的設計和製造至此來到一個新的轉折
實現物聯網與雲端運算的新型記憶體技術 (2019.10.04)
研究指出,以 MRAM取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM,可節省達 90% 的功耗。這些功耗與面積成本優勢,使得MRAM成為邊緣裝置的理想選擇。
新一代記憶體發威 MRAM開啟下一波儲存浪潮 (2019.09.24)
STT-MRAM可實現更高的密度、更少的功耗,和更低的成本。此外,STT-MRAM也非常有可能成為未來重要的記憶體技術。不止可以擴展至10nm以下製程,更可以挑戰快閃記憶體的低成本
STT-MRAM技術優勢多 嵌入式領域導入設計階段 (2019.09.12)
目前有數家晶片製造商,正致力於開發名為STT-MRAM的新一代記憶體技術,然而這項技術仍存在其製造和測試等面向存在著諸多挑戰。STT-MRAM(又稱自旋轉移轉矩MRAM技術)具有在單一元件中,結合數種常規記憶體的特性而獲得市場重視
群聯攜手Everspin 發展整合MRAM的SSD控制晶片 (2019.07.26)
群聯電子宣布與Everspin策略聯盟,整合Everspin的1Gb STT-MRAM,至群聯的企業級SSD儲存解決方案。 群聯指出,MRAM是一種非揮發性記憶體技術,不僅斷電時資料不會遺失,且有低功耗及讀寫速度高於NAND等特性
應用材料實現物聯網與雲端運算適用的新型記憶體技術 (2019.07.23)
應用材料公司因應物聯網 (IoT) 和雲端運算所需的新記憶體技術,推出創新、用於大量製造的解決方案,有利於加快產業採納新記憶體技術的速度。 現今的大容量記憶體技術包括 DRAM、SRAM 和快閃記憶體,這些技術是在數十年前發明,已廣為數位裝置與系統所採用
低價刺激消費需求 SSD強勢躍居主流 (2019.06.10)
2019年似乎是購買SSD的絕佳時機,市場開始轉向QLC NAND,而採用96層的3D NAND架構也可有效提高密度,並降低成本。接下來容量更高的消費型SSD將變得更為普遍。
TrendForce:次世代記憶體有望於2020年打入市場 (2019.05.20)
不論是DRAM或NAND Flash,現有的記憶體解決方案面臨製程持續微縮的物理極限,意即要持續提升性能與降低成本都更加困難。因此,Intel Optane等次世代記憶體近年來廣受討論,希望在有限度或甚至不改變現有平台架構的前提下,找到新的解決方案
給科技部的科研專案與人才培育計畫按個讚! (2019.03.25)
長期以來,台灣的產學落差一直為人詬病,尤其是在取得博士後所進行的研究,常是為了教職升等和論文積分,在實際的產業應用上並無太多的成果,更遺憾的,是未能充分發揮這些博士人才的優勢,其實甚為可惜


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