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低價刺激消費需求 SSD強勢躍居主流 (2019.06.10)
2019年似乎是購買SSD的絕佳時機,市場開始轉向QLC NAND,而採用96層的3D NAND架構也可有效提高密度,並降低成本。接下來容量更高的消費型SSD將變得更為普遍。
TrendForce:次世代記憶體有望於2020年打入市場 (2019.05.20)
不論是DRAM或NAND Flash,現有的記憶體解決方案面臨製程持續微縮的物理極限,意即要持續提升性能與降低成本都更加困難。因此,Intel Optane等次世代記憶體近年來廣受討論,希望在有限度或甚至不改變現有平台架構的前提下,找到新的解決方案
給科技部的科研專案與人才培育計畫按個讚! (2019.03.25)
長期以來,台灣的產學落差一直為人詬病,尤其是在取得博士後所進行的研究,常是為了教職升等和論文積分,在實際的產業應用上並無太多的成果,更遺憾的,是未能充分發揮這些博士人才的優勢,其實甚為可惜
清大突破全球首例自旋流解密MRAM關鍵瓶頸 (2019.03.14)
由國立清華大學賴志煌教授與林秀豪教授所帶領的研究團隊,在科技部長期的支持下,研究MRAM的特性、製程與操控,獨步全球,成功以自旋流操控鐵磁-反鐵磁奈米膜層的磁性翻轉,研究成果刊登於材料領域頂尖期刊《自然材料》(Nature Materials)
研發存儲級記憶體! 旺宏與IBM續攻相變化記憶體技術 (2018.12.25)
旺宏電子(Macronix)董事會昨日決議通過,將與IBM簽訂合約,繼續進行「相變化記憶體(PCM)」的合作開發。雙方將共同分擔研發費用,為期3年,合約計畫期間為明年1月22日至2022年1月21日
愛德萬測試研發出用於記憶測試系統STT-MRAM的切換電流測量系統 (2018.11.21)
半導體測試設備供應商愛德萬測試宣布其與日本東北大學創新整合電子系統中心〈CIES〉的合作,本計畫由東北大學電機研究所教授遠藤哲夫主持,成功地研發出高速、高精確度模組,可以測量磁性隨機存取記憶體〈STT-MRAM〉中記憶束的切換電流,這是眾所期待用於愛德萬測試記憶測試系統的次世代記憶技術,運作速度為微安培/奈米秒
FURUYA:因應硬碟片材料需求增加 將擴張釕精製產能 (2018.06.22)
株式會社FURUYA金屬宣布將對土浦工廠(茨城縣土浦市澤邊)進行投資,擴增釕(Ru)精製產能。 FURUYA金屬的土浦工廠擁有精製與回收高純度釕靶材(薄膜材料)及觸媒等製品的產線,可以在短期間內進行高純度的精製
關注次世代嵌入式記憶體技術的時候到了 (2018.01.25)
次世代記憶體的產品,如FRAM,MRAM和RRAM,在物聯網與智慧應用的推動下,開始找到利基市場。
物聯網與AI將推升次世代記憶體需求 (2017.12.25)
經過十多年的沉潛,次世代記憶體的產品,包含FRAM(鐵電記憶體),MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)和RRAM(可變電阻式記憶體),在物聯網與智慧應用的推動下,開始找到利基市場
2018 ISSCC引領半導體技術趨勢 台論文獲選量居全球第三 (2017.11.16)
國際固態電路學會(International Solid-State Circuits Conference,ISSCC)2018年年會預計於2018年2月11日至2月15日於美國舊金山舉行。ISSCC被譽為晶片(IC)設計領域奧林匹克大會,促進國際半導體與晶片系統之產學研專家的技術交流,在本次國際學術研討會,台灣共有16篇論文入選,數量僅次於美國與韓國,居全球第三
由STT MRAM展望自旋電子學的未來與台灣機會 (2016.11.19)
本座談會議針對現今國際與台灣在STT MRAM與Spintronics上的產學研狀況進行一系列分析與探討,邀請國際重量級專家與公司代表,就MRAM技術進展與市場進行估測,分析台灣的投入重點與進程/優勢及劣勢,並就自旋電子學的未來機會及應用潛力深入討論,冀望大家借此交流機會共同為台灣自旋電子產業尋求合作與開發的契機
來揚科技攜手主力分團 進軍次世代記憶體市場 (2016.05.16)
傳統記憶體的製程技術已達物理極限,國際大廠無不全力布局,一場次世代記憶體大戰已隱然成型。為搶占未來全球記憶體市場,來揚科技整合本身電路設計能力後,以開放宏觀的精神,進軍次世代記憶體市場
記憶體界年度盛會 「GSA MEMORY+ CONFERENCE」10/31在台北晶華 (2013.10.17)
GSA Memory+ Conference Taiwan即將於10月31日星期四在台北晶華酒店隆重登場。今年將以「記憶體驅動未來系統應用」為主軸探討相關議題。 本次論壇邀請到許多重量級嘉賓,開幕致詞GSA總裁Jodi Shelton女士、GSA Memory+ Conference Organizing Committee主席暨旺宏電子 (Macronix International Co
爾必達重生 20nm DRAM年內量產 (2013.08.02)
還記得爾必達(Elpida)嗎?它回來了! 曾經,因為過量生產導致價格崩壞,使得DRAM產業的製造商倒得一蹋糊塗。台灣廠商當中最慘的屬茂德,連虧五年後,2012年股票下市,狼狽地退出DRAM產業
MRAM技術再突破 工研院啟動全新記憶體戰局!!(下) (2013.07.08)
MRAM是一種磁性多層膜的堆疊結構,在這當中最為關鍵的三層,上下兩層為磁性層(一為參考層,一為自由層),中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向是水平排列,並可由電流來控制旋轉方向
MRAM技術再突破 工研院啟動全新記憶體戰局!!(上) (2013.07.02)
在工研院即將進入歡慶40週年院慶之際,工研院電光所的研究團隊所開發出來的「垂直式自旋磁性記憶體技術」榮獲傑出研究金牌獎,此一技術乍看之下並不顯眼,但該記憶體技術的背後,卻也牽動了未來全球半導體大廠的勢力佈局
工研院成立40週年 引領未來行動「微」新生活 (2013.06.28)
隨著智慧手機及iPAD熱潮興起,小、快、輕、省電不僅是未來行動裝置趨勢,各家廠商也積極朝向「元件微小化」進行突破。工研院在成立40週年前夕,發表工研院傑出研究獎與推廣服務獎共三項金牌技術
美科學家展示自旋電子新進展 (2013.05.13)
物聯網(IoT)催生出了一個物物相連,所有設備都搭載資料處理和連線能力的龐大網路,但如何讓電子設備以最少的能源提供強大運算效能?一項科學研究可望為未來的電子技術發展奠定基礎,美國德拉瓦大學(University of Delaware)的科學家們證實了過去僅存在於科學理論中,迄今從未確切證實的由電子產生的磁場
[Tech Spot]四大快閃記憶體替代技術 (2012.12.06)
快閃記憶體仍如日中天,智慧手機消費型設備,例如平板電腦和智慧手機,強勁地推動了快閃記憶體及整個半導體市場。未來幾年,平板電腦的市佔率將不斷增加,目前最常見的快閃記憶體類型是 NAND,一位市場分析師預測:2011 至 2015 年之間, NAND的市場複合年增長率將達到 7%
聯發科-谷底重生的中國巨人 / Beyond Wi-Fi (2012.11.09)
曾跌落谷底的聯發科,晶片在中國又再賣翻天。 聯發科有多強?憑什麼讓Qualcomm市場難做? 台灣又該如何仿效,分食到中國肥美的市場呢?


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