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三星發表12層3D-TSV封裝技術 將量產24GB記憶體 (2019.10.07)
三星電子今日宣布,已開發出業界首個12層的3D-TSV(Through Silicon Via)技術。此技術透過精確的定位,把12個DRAM晶片以超過6萬個以上的TSV孔,進行3D的垂直互連,且厚度只有頭髮的二十分之一
實現物聯網與雲端運算的新型記憶體技術 (2019.10.04)
研究指出,以 MRAM取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM,可節省達 90% 的功耗。這些功耗與面積成本優勢,使得MRAM成為邊緣裝置的理想選擇。
TrendForce發布2020年十大科技趨勢 5G扮火車頭 (2019.10.03)
全球市場研究機構TrendForce針對2020年科技產業發展,整理十大科技趨勢: AI、5G、車用三箭頭,帶動半導體產業逆勢成長 2019年在中美貿易戰影響下,全球半導體產業呈現衰退
新一代記憶體發威 MRAM開啟下一波儲存浪潮 (2019.09.24)
STT-MRAM可實現更高的密度、更少的功耗,和更低的成本。此外,STT-MRAM也非常有可能成為未來重要的記憶體技術。不止可以擴展至10nm以下製程,更可以挑戰快閃記憶體的低成本
2018十大SSD模組廠品牌排名 金士頓、威剛、金泰克穩居前三 (2019.09.17)
根據TrendForce記憶儲存研究(DRAMeXchange)最新2018年全球SSD模組廠自有品牌在通路市場的出貨量排名調查顯示,2018年全球通路SSD出貨量約8100萬台水準,較2017年成長近50%,SSD通路市場上的前三大模組廠自有品牌分別為金士頓、威剛、金泰克
SEMICON Taiwan周三登場 引領半導體智慧未來 (2019.09.16)
SEMICON Taiwan國際半導體展將於本周三 (18日) 於台北南港展覽館一館登場,為期三天的展覽以「Leading the Smart Future」為主軸,與「高科技智慧製造展」、「SiP系統級封測國際高峰論壇」、「SMC策略材料高峰論壇」等同期同地舉辦
TrendForce:紫光DRAM廠預計2021年完工 製程是量產最大挑戰 (2019.09.05)
TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示,紫光集團於8月27日宣布與重慶市政府簽署合作協定,並在重慶投資DRAM研發中心與工廠,廠房預定2019年年底動工,並於2021年完工。這顯示在福建晉華遭到美國禁售之後,以及在中美貿易摩擦影響下,中國加速自主開發DRAM產品的進程
SEMI:12吋晶圓廠設備支出2021年與2023年將創新高 (2019.09.04)
國際半導體產業協會旗下的產業研究與統計(SEMI Industry Research and Statistics)事業群首度公布《12吋晶圓廠展望報告》(300mm Fab Outlook)。根據報告預測,12吋晶圓廠設備支出歷經2019年衰退後,2020年可望小幅回溫,2021年創下600億美元的新高,2022年再度下滑,而2023年預計反彈,寫下歷史新高紀錄
M31的PCIe4.0/3.0 IP和ONFi 4.1 I/O IP 獲InnoGrit採用 (2019.09.04)
全球精品矽智財開發商M31 Technology與存儲晶片新創公司-英韌科技(InnoGrit)今日宣佈,雙方將建立長期的合作夥伴關係。英韌科技開發的存儲晶片已採用M31的PCIe 4.0/3.0 IP與ONFi 4.1 I/OIP,積極佈局全球針對AI應用的大數據存儲市場
TrendForce:光寶科出售東芝SSD事業綜效可期 (2019.09.03)
光寶科技(Lite-On)宣布將以股權出售方式將固態儲存事業部轉讓給東芝記憶體 (TMCHD),交易金額暫定為1.65億美元,TMCHD預計明年上半年完成購併。TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)認為,Lite-On旗下的固態儲存事業具效率與靈活度的優勢,TMCHD將有機會藉著此次購併產生質的飛躍
TrendForce:2Q19 NAND Flash品牌商營收持平1Q19 (2019.08.16)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查,綜觀2019年第二季NAND Flash產業營收表現,以需求面來看,智慧型手機、筆記型電腦以及伺服器需求皆自第一季的傳統淡季有所復甦
科林研發新增3D NAND微縮產品 拓展全晶圓應力管理方案 (2019.08.14)
科林研發公司(Lam Research Corp.)宣佈,推出可協助客戶提高記憶體晶片密度的全新解決方案,以滿足人工智慧和機器學習等應用的需求。透過導入晶背沉積用的VECTOR DT以及晶背和晶邊薄膜去除用的EOS GS濕式蝕刻系統,科林研發進一步擴展了其應力管理產品組合
華邦NOR+NAND可堆疊式記憶體 (2019.08.08)
華邦電子宣布其首創之SpiStack NOR+NAND 可堆疊式記憶體甫獲恩智浦半導體FRWY-LS1012A開發板採用,以搭配該公司Layerscape LS1012A 系列之通信處理器。 恩智浦半導體已將華邦電子之W25M161AW SpiStack 產品納入其新推出的FRWY-LS1012A 開發板設計中,其主要用以開發LS1012A處理器應用
大聯大世平推出恩智浦QorIQ LS1046A邊緣計算的人臉辨識方案 (2019.08.08)
零組件通路商大聯大控股今日宣佈,旗下世平集團將推出以恩智浦半導體(NXP)QorIQ LS1046A邊緣計算為基礎之人臉辨識方案。 大聯大世平集團所推出的恩智浦半導體方案將打造安全、可編碼且靈活的運算系統來加強人工智慧(AI)和機器學習(ML)
慧榮科技於 2019 Flash Memory Summit展示全系列解決方案 (2019.08.08)
慧榮科技於Flash Memory Summit 展示全系列產品,包括專為企業/資料中心設計的SSD控制晶片及儲存解決方案、應用於個人電腦的消費級 SSD 控制晶片解決方案、應用於行動裝置的UFS控制晶片及工控/車用的單晶片SSD / eMMC / UFS等嵌入式儲存解決方案
第三季NAND Flash合約價跌幅收斂,Wafer價格則逆勢上揚 (2019.08.05)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查指出,7月各類產品合約價已出爐,整體而言合約價仍趨向走跌,但受到東芝跳電對產出直接衝擊,導致主流產品價格跌幅收斂
TrendForce : 第三季行動記憶體價格跌幅仍逾10% (2019.07.30)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查表示,第三季智慧型手機市場旺季需求增長幅度趨緩,不如以往旺季動輒10%以上的季成長表現,預估今年智慧型手機生產總量仍較去年衰退近5%
群聯攜手Everspin 發展整合MRAM的SSD控制晶片 (2019.07.26)
群聯電子宣布與Everspin策略聯盟,整合Everspin的1Gb STT-MRAM,至群聯的企業級SSD儲存解決方案。 群聯指出,MRAM是一種非揮發性記憶體技術,不僅斷電時資料不會遺失,且有低功耗及讀寫速度高於NAND等特性
克服SSD大容量儲存需求的挑戰 (2019.07.24)
慧榮成立20年以來,一直都在快閃記憶體控制器領域耕耘,隨著時代演進提供客戶不同應用的控制晶片...
應用材料實現物聯網與雲端運算適用的新型記憶體技術 (2019.07.23)
應用材料公司因應物聯網 (IoT) 和雲端運算所需的新記憶體技術,推出創新、用於大量製造的解決方案,有利於加快產業採納新記憶體技術的速度。 現今的大容量記憶體技術包括 DRAM、SRAM 和快閃記憶體,這些技術是在數十年前發明,已廣為數位裝置與系統所採用


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