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英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性 (2024.03.28)
英飛凌科技(Infineon)推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET產品系列,全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動堆高機等應用提供出色的性能。新款MOSFET產品的導通損耗和開關性能都更加優化,降低電磁干擾(EMI)和開關損耗,有益於用於伺服器、電信、儲能系統(ESS)、音訊、太陽能等用途的各種開關應用
英飛凌與愛迪達合作 開發能聆聽音樂的燈光效果運動鞋 (2023.10.13)
英飛凌科技與愛迪達 (adidas AG) 聯手開發了一款 Lighting Shoe 發光鞋,搭載高端感測技術,這款創新和智能的 adidas originals NMD S1 鞋款能夠感知環境中的音樂和節拍,並以不同的可編程燈光效果做出反應
德國STABL能源採用英飛凌MOSFET 延長電動電池壽命 (2023.07.12)
德國STABL能源(STABL Energy)借助英飛凌科技(Infineon)的MOSFET產品,利用退役的電動乘用車電池打造固定式儲能系統,首批固定式儲能系統試點專案目前已在德國和瑞士投入使用
英飛凌針對汽車應用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飛凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列,作為最新一代適合汽車應用的功率MOSFET,提供多種無引腳、強固的功率封裝。該系列產品採用了300毫米薄晶圓技術和創新的封裝,相比於其它採用微型封裝的元件,具有顯著的性能優勢
英飛凌參與MWC 2023 展示最新低碳化和數位化進程技術 (2023.03.02)
物聯網技術為克服當今社會所面臨的諸多挑戰提供了可能性,甚至能夠改善生活品質、提升便利性以及提高工業生產力。而包括感測器、制動器、微控制器、連接模組以及安全性群組件等在內的微電子技術是所有物聯網解決方案的核心
英飛凌推出160V MOTIX三相閘極驅動IC 具良好導熱性能 (2023.02.07)
英飛凌專為汽車和工業馬達控制應用開發的MOTIX系列提供了具有不同整合度的豐富產品組合,為了進一步壯大產品陣容,英飛凌推出MOTIX三相閘極驅動IC 6ED2742S01Q。 這款160V的絕緣層上矽(SOI)閘極驅動器整合了一個電源管理單元(PMU),並且採用了底部帶有裸露焊墊的QFN-32封裝,具有良好的導熱性能
英飛凌推出全新PQFN 系列源極底置功率MOSFET (2022.12.23)
為了滿足電力電子系統設計趨向追求更先進的效能和功率密度,英飛凌科技(Infineon)在 25-150 V 等級產品中推出全新源極底置 3.3 x 3.3 mm2 PQFN 系列,包括有底部冷卻(BSC)和雙面冷卻(DSC)兩個版本
英飛凌推出XDP710數位熱插拔控制器 降低BOM及設計時間 (2022.11.23)
人工智慧(AI)服務對於高效能運算(HPC)資料中心 的持續性需求驅動了此區塊市場的不斷成長。專用 AI 加速器有助於顯著提高這些資料中心的效能和效率。就如同許多關鍵基礎設施系統一樣,可靠性和高可用性對它們來說至關重要且極具挑戰性
美超微攜手英飛凌 以高效率功率級產品降低資料中心耗電 (2022.10.27)
為了滿足資料中心的低碳化,雲端、AI/ML、儲存、5G/邊緣領域的需求,美超微電腦與英飛凌科技攜手合作,選用了英飛凌的高效率功率級半導體產品。 美超微伺服器技術副總裁Manhtien Phan表示:「在開發綠色運算平台時,我們會選擇和我們一樣著重於利用能效降低耗電量的廠商
英飛凌推出高壓側閘極驅動器 為汽車應用提供線路保護功能 (2022.09.28)
當前的先進智慧汽車普遍搭載了先進駕駛輔助系統(ADAS)。ADAS應用是實現汽車主動安全的關鍵,必須具備高度可用性。相比之下,自動駕駛技術的落地則更具挑戰性,因為自動駕駛功能要求在故障發生時,亦能由車輛自身完成應急操作
英飛凌推出OptiMOS 5 IPOL降壓穩壓器 大幅縮短設計開發時程 (2022.09.20)
隨著超大型資料中心陸續整合人工智慧(AI)技術,對於更高效能的追求也將不斷增加。在此趨勢之下,智慧企業系統所需的高功率密度與節能高效率解決方案也因而變得充滿挑戰性
英飛凌推出完整電源管理解決方案 提供最佳電源效率與效能 (2022.04.20)
英飛凌科技股份有限公司今日宣布推出針對以Intel Sapphire Rapids運算處理單元(CPU)為基礎之運算伺服器的完整電源管理產品。 新款解決方案讓各種電源管理IC擁有更多彈性,整合多種英飛凌電源管理元件和技術,提供最佳的電源效率和效能,包括XDP數位多相控制器、OptiMOS整合式功率級,以及OptiMOS IPOL穩壓器
英飛凌推出MOSFET OptiMOS 5功率 小尺寸封裝提高靈活性 (2022.03.15)
英飛凌科技股份有限公司,推出全新採用PQFN 2 x 2 mm2封裝的OptiMOS 5 25V和30V功率MOSFET產品系列,旨在為分立式功率MOSFET技術樹立全新的業界標準。這些新元件採用薄晶圓技術和創新的封裝,尺寸極小,卻具有顯著的性能優勢
英飛凌推出OptiMOS源極底置功率MOSFET 展現優異熱性能 (2022.02.16)
英飛凌科技股份有限公司推出新一代OptiMOS源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。 新款功率MOSFET採用PQFN封裝,尺寸為3.3 x 3.3平方公釐,支援從25 V到100 V的寬電壓範圍
英飛凌推出SPI介面智慧雙通道高壓側閘極驅動器 (2022.02.08)
英飛凌科技股份有限公司推出EiceDRIVER 2ED4820-EM,為一款帶SPI介面的智慧閘極驅動器。此款閘極驅動器可與英飛凌80/100V OptiMOS MOSFET搭配使用,並可用於48V網路中的大電流負載開關
英飛凌OptiMOS 6 100 V採用全新功率MOSFET技術 (2021.12.03)
因應電信與太陽能等高切換頻率最佳化應用,當前切換式電源供應(SMPS)及電池供電的應用顯著趨勢是提高效率和可靠性。順應這一發展趨勢,英飛凌科技推出採用全新功率MOSFET技術的OptiMOS 6 100 V
邊緣運算推升伺服器需求 英飛凌讓電源供應器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的數據量正在加速爆走中,尤其是物聯網和邊緣運算應用被逐步導入市場之後,各種機器與設備的資料和數據,就日夜不停地被記錄與傳送到雲端資料中心與伺服器之中,直接推升了各個領域對於伺服器的建置需求
英飛凌OptiMOSTOLx系列推出全新封裝 可強化 TCoB 耐用性 (2021.06.15)
英飛凌科技借助創新的 TO-Leadless (TOLL) 封裝,在 OptiMOS 功率 MOSFET TOLx 系列推出兩款新封裝:TOLG (配備鷗翼型導線的 TO 導線) 以及 TOLT (TO 導線頂部散熱)。TOLx 系列皆具備極低的 RDS(on) 與超過 300 A 的高額定電流,可提升高功率密度設計的系統效率
高能效儲能系統中多階拓撲之優勢 (2020.12.02)
開關元件的功耗降低可減少散熱,較低的諧波內容僅需較少的濾波且 EMI 明顯降低。
英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET 新添PQFN封裝40V裝置 (2020.11.03)
當代的電源系統設計需要高功率密度和精巧的外型尺寸,進而得到最高的系統級效能。英飛凌科技專注於強化元件級的系統創新,來應對上述挑戰。繼2月份推出25V裝置後,英飛凌再推出OptiMOS 40V低電壓功率MOSFET,採用源極底置(Source-Down;SD)的PQFN封裝,尺寸為3


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