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搭載ROHM EcoGaN Power Stage IC的小型高效AC Adapter 獲全球知名電競品牌MSI採用！ (2025.11.10)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的EcoGaN Power Stage IC已應用於電競用筆記型電腦等MSI（微星）產品的AC Adapter。這款AC Adapter由全球領先的電源製造商-台達開發，採用ROHM的EcoGaN Power Stage IC「BM3G005MUV-LB」，具備高速電源切換、低導通電阻等特色，結合台達先進的電源管理技術，與傳統AC Adapter產品相比，大幅縮小體積同時提升能效 |
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「Power Eco Family」 ROHM功率半導體產品介紹 (2025.10.01)
1.前言
近年來，全球耗電量逐年增加，在工業和交通運輸領域的成長尤為顯著。另外以化石燃料為基礎的火力發電和經濟活動所產生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴重的社會問題 |
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ROHM推出「PFC＋返馳式控制參考設計」 (2025.07.24)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出新的參考設計「REF67004」，該設計可透過單個微控制器控制廣泛應用於消費性電子和工業設備電源的兩種轉換器—電流臨界模式PFC（Power Factor Correction）*1和準諧振返馳式*2轉換器 |
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ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長，尤其是在永續經營和急需創新的市場方面，先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展（electronica 2024），展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術，並進行技術交流合作 |
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ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產，包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」 |
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英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上 |
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ROHM首創低功耗類比數位融合控制電源解決方案 (2024.05.09)
半導體製造商ROHM針對中小功率（30W～1kW級）的工業和消費性電子設備， 開始供應LogiCoA電源解決方案，將能以類比控制電源等級的低功耗和低成本，實現與全數位控制電源同等功能 |
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CGD的GaN單晶片 獲台積電歐洲創新區最佳展示獎 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系統單晶片 (SoC) 在台積電( TSMC) 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲「最佳展示」獎。
CGD是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能GaN型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件 |
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ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 可助減少應用損耗及實現小型化 (2023.09.04)
近年來消費性電子和工控設備的電源在節能方面的要求升高，以期實現永續發展，因而能夠幫助提高功率轉換效率和實現元件小型化的GaN HEMT受到關注。但與Si MOSFET比較之下，GaN HEMT的閘極處理較為困難，必須與驅動閘極用的驅動器結合使用 |
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高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET應用效能 (2023.08.01)
本文重點介紹Littelfuse提供2 kV以上的高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET。 |
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Qorvo推出750V SiC FET 封裝D2PAK-7L提供更大靈活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣佈推出採用表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封裝選項，Qorvo SiC FET可為車載充電器、軟切換DC/DC轉換器、電池充電（快速DC和工業）以及IT/伺服器電源等快速增長應用量身客制，能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益高功率應用提供更佳解決方案 |
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功率半導體元件的主流爭霸戰 (2022.07.26)
多年來，功率半導體以矽為基礎，但碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體元件的應用更為多元。 |
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下半年8吋基板將量產 第三類功率半導體2025年CAGR達48% (2022.03.10)
據TrendForce研究推估，第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率達48%。
SiC適合高功率應用，如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業 |
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【東西講座】活動報導：功率模組就是電子驅動系統的心臟 (2021.11.14)
由CTIMES主辦的【東西講座】，上週五（11/12）舉行了「讓電動機車跑得更快、更遠」講題，由工研院電光系統所組長張道智博士擔任講師。他以電動載具應用的電子電力技術作為主軸，剖析功率元件對於電動載具的驅動和電控性統的重要性 |
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從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例，分析其效率和散熱能力方面的優勢，並說明如何使用此類元件進行設計。 |
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ROHM推出內建1700V SiC MOSFET小型表面封裝AC/DC轉換IC (2021.06.17)
隨著節能意識的提高，在交流400V工控裝置領域，與現有的Si功率半導體相比，SiC功率半導體支援更高電壓，且更節能、更小型，因此相關應用也越來越廣泛。另一方面，工控裝置中 |
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馬達變頻器內的關鍵元件: 功率半導體 (2021.04.20)
全球工業產業消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。 |
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英飛凌全新閘極驅動IC 簡化工業環境的MOSFET設計 (2020.12.17)
英飛凌科技推出EiceDRIVER X3 Enhanced類比(1ED34xx)和數位(1ED38xx)閘極驅動IC，提供3、6和9A的典型輸出電流，具有精密的短路偵測以及米勒鉗制和軟關斷等功能。
1ED34xx還可透過加裝外部電阻，提供可調整的去飽和濾波器時間和軟關斷電流 |
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Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET That Contributes to High-efficiency Power Supply (2020.10.19)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched “TW070J120B,” a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for industrial applications that include large capacity power supply. Shipments start today.
The power MOSFET using the SiC, a new material, achieves high voltage resistance, high-speed switching, and low On-resistance compared to conventional silicon (Si) MOSFET, IGBT products |
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安森美半導體推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增長應用 (2020.03.11)
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出另兩個碳化矽(SiC)MOSFET系列，擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。這些新元件適用於各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站，提供的性能水準是矽(Si)MOSFET根本無法實現的 |
