 |
国研院携手台积电 成功开发磁性记忆体技术 (2024.02.20)
为满足快速读写、低耗电、断电後不会遗失资料的前瞻记忆体储存技术需求，全球各半导体大厂都积极投入研究人力，布局相关技术开发。国研院半导体中心今（20）日也宣布与台积电合作开发的「选择器元件与自旋转移力矩式磁性记忆体整合」（Selector and STT-MRAM Integration） |
|
工研院与台积电合作开发SOT-MRAM 降百倍功耗抢高速运算商机 (2024.01.17)
面对现今人工智慧（AI）、5G构成的AIoT时代来临，包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用须快速处理大量资料，要求更快、更稳、功耗更低的新世代记忆体成为各家大厂研发重点 |
|
国科会114年度科技预算增至1800亿元 拓展AI晶片与资安实力 (2024.01.17)
国家科学及技术委员会(国科会)於今(17)日召开第9次委员会议，并提报「114年度政府科技发展重点规划」，将重点投入晶创台湾方案、净零科技及太空科技等，并强化培育顶尖优秀科研人才 |
|
NXP看好智慧家庭、电动车与智慧工厂 主攻边缘运算方案 (2023.12.13)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）日前在台北举行2023恩智浦创新技术论坛，共吸引了超过900位的产业人士与会。NXP全球销售执行??总裁Ron Martino也亲自来台发表主题演讲，并与媒体分享NXP对半导体产业趋势的观察，以及相关的解决方案布局 |
|
台美半导体晶片合作计画审查结果揭晓 共6件研究获补助 (2023.07.02)
国科会(NSTC)与美国国家科学基金会(NSF)於去(111)年9月同步徵求2023-2026年台湾-美国(NSTC-NSF)先进半导体晶片设计及制作国际合作研究计画(Advanced Chip Engineering Design and Fabrication, ACED Fab Program) |
|
工研院与阳明交大、清大发表新型磁性记忆体与110GHz超高频技术 (2023.06.15)
工研院分别携手国立阳明交通大学与国立清华大学，在全球半导体领域顶尖之「超大型积体技术及电路国际会议」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）、IEEE国际微波会议（IEEE／MTT-S International Microwave Symposium；IMS），发表新型磁性记忆体与110GHz超高频模型技术成果 |
|
NXP携手TSMC推出车用嵌入式磁阻式随机存取记忆体 (2023.05.16)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）今（16）日宣布与台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）合作，推出业界首款采用16奈米（nm）鳍式场效电晶体（FinFET）技术的车用嵌入式磁阻式随机存取记忆体（Magnetic Random Access Memory；MRAM） |
 |
B5G━全面智慧互联(2023.5第378 (2023.05.02)
B5G（Beyond 5G）是指5G之後的下一代通信技术，
B5G具备更高的智能化水平，支持智能路由和自我优化等技术，
实现更高效、更可靠和更稳定的网路。
B5G的发展将为未来的智慧化、互联化、数位化应用，
提供更快速、更广泛、更可靠、更安全的通信支持 |
 |
创新SOT-MRAM架构 提升新一代底层快取密度 (2023.04.17)
要将自旋轨道力矩磁阻式随机存取记忆体（SOT-MRAM）用来作为底层快取（LLC），目前面临了三项挑战；imec在2022年IEEE国际电子会议（IEDM）上提出一套创新的SOT-MRAM架构，能够一次解决这些挑战 |
|
【vMaker Edge AI专栏 #03 】AI晶片发展历史及最新趋势 (2023.03.29)
想要玩边缘智慧（Edge AI）前，我们首先要先认识什麽是类神经网路（NN）、深度学习（DL）及为什麽需要使用AI晶片，而AI晶片又有那些常见分类及未来可能发展方向。接下来就逐一为大家介绍不同类型的AI晶片用途及优缺点 |
|
联电持续深化智财权管理获TIPS AA级认证 (2022.12.30)
联华电子今（30）日宣布，继2021年首次导入「台湾智慧财产管理制度」（Taiwan Intellectual Property Management System；TIPS），并获得A级认证以後，2022年以相关管理措施再获TIPS AA级认证肯定 |
|
经济部发表最新研发成果 领先三星推出最快磁性记忆体 (2022.09.14)
经济部技术处SEMICON Taiwan科技专案成果主题馆於今（14）日在「2022 SEMICON Taiwan」台北南港展览馆一馆四楼N0662摊位正式登场！共展出33项创新技术！首先最吸睛的技术，是由工研院携手多家台湾大厂，完成世界最快的SOT-MRAM阵列晶片，达成0.4奈秒高速写入、7兆次读写的高耐受度，效能领先南韩大厂20% |
|
联电携手Avalanche推出航太用高密度P-SRAM装置 (2022.09.13)
因应现今无所不在的感测装置以及日益升高的资料处理需求推升对耐磨损、高持久性记忆体的需要，半导体晶圆厂商联华电子与专精於MRAM技术的创新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持续性静态随机存取记忆体（Persistent Static Random Access Memory；P-SRAM） |
|
工业储存技术再进化！ (2022.08.26)
近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智慧、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智慧城市到国防航太等领域都可以应用大量晶片记录海量数据 |
|
前瞻磁性记忆体技术突破 工研院与产学界合作在VLSI发表研发成果 (2022.06.15)
随着人工智慧（AI）、5G与AIoT等科技加速发展，工研院累积深厚的前瞻记忆体研发能量，工研院在今（15）日宣布，除了与晶圆制造龙头台积电合作开发前瞻的自旋轨道扭矩磁性记忆体（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）阵列晶片 |
|
2022 ISSCC台湾15篇论文获选 联发科、台积电与旺宏皆上榜 (2021.11.16)
国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference；ISSCC)一向被视为是全球先进半导体与固态电路领域研发趋势的指标，有晶片(IC)设计领域奥林匹克大会之称，此研讨会将于2022年2月20日至24日于美国旧金山举行，台湾共有15篇论文入选 |
|
为台湾嵌入式记忆体技术奠基 国研院发表SOT-MRAM研发平台 (2021.11.09)
国研院半导体中心，今日举行次世代嵌入式记忆体技术，「自旋轨道力矩式磁性记忆体（SOT-MRAM）」研究成果发表会。该记忆体采用垂直异向性的结构，不仅电耗更低、体积更小，同时读写的速度也更快，能够整合至高性能的逻辑IC之中，进一步实现下世代的处理器晶片 |
|
可在量产中实现良率管理的STT-MRAM磁性测试 (2021.06.02)
由于STT-MRAM（自旋转移距－磁性随机存取记忆体）具有快速、非挥发性、耐用，低功耗和可扩展的优点，是目前正迅速获得关注的新记忆体技术之一。它是替代eFlash的强大候选者，尤其是对汽车、物联网和其他低功耗应用特别有吸引力 |
|
2021 VLSI台湾供应链优势再现 实现记忆体内运算与AI创新 (2021.04.20)
2021国际超大型积体电路技术研讨会（VLSI）是台湾半导体产业的年度盛事，今（20）日在经济部技术处的支持下顺利登场，今年焦点落在目前市场最热门的AI晶片、新兴记忆体、小晶片（chiplet）系统、量子电脑、半导体材料、生物医学电子等最新技术进展 |
|
鉴往知来 洞察不同应用领域的DRAM架构（上） (2020.08.13)
本文上篇将回顾不同DRAM架构的特色，并点出这些架构的共同趋势与瓶颈，下篇则会提出爱美科为了将DRAM性能推至极限而采取的相关发展途径。 |
