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筑波科技x美商泰瑞达分享交流化合物半导体材料与测试技术 (2024.04.18)
因应高效能运算和AI趋势对於创新材料的需求,筑波科技携手美商泰瑞达Teradyne於17日举办首场「化合物半导体材料与测试技术研讨会」,此次研讨会聚焦於各种测试挑战与解决方案,邀请产官学界菁英分享如氧化??、石墨烯等新兴材料应用,探究化合物半导体在矽光子的应用
英飞凌荣获群光电能颁发「氮化??策略合作夥伴奖」 (2024.04.15)
群光电能(Chicony Power;简称群电)宣布其年度合作夥伴英飞凌科技(Infineon)脱颖而出,荣获2023年度「氮化??策略合作夥伴奖」。英飞凌凭藉其运用於笔电、电竞、伺服器与储存设备等资通讯(ICT)应用的氮化??(GaN)电源供应器解决方案
明纬推出NGE100(U)系列:100W环球通用4埠USB氮化??快速充电器 (2024.03.28)
随着大众节能减碳的意识日渐提升,过去的电子装置及充电器的充电介面规格不一,而衍生大量的电子废弃物,在欧盟於2022年11月23日率先正式立法公告,自2024年12月28日起将强制要求手机、平板、相机、游戏机、耳机等消费性手持式电子装置充电介面须全面统一采用USB-C(Type C)
台英研发合作吸引群创及科磊等大厂加入 聚焦化合物半导体及下世代通讯 (2024.03.21)
经济部日前携手英国科学创新及技术部(DSIT)共同宣布双方未来2年将投入新台币6.5亿元,推动双边产业科技研发。其中台方叁与企业,包括群创光电、?通科技、永源科技等厂商;英方叁与单位则有半导体大厂科磊子公司SPTS、半导体材料商Smartkem
英飞凌携手Worksport 以氮化??降低可携式发电站重量和成本 (2024.03.13)
英飞凌科技宣布与 Worksport合作,共同利用氮化??(GaN)降低可携式发电站的重量和成本。Worksport 将在其可携式发电站转换器中使用英飞凌的 GaN 功率半导体 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度
TI新型功率转换器突破电源设计极限 协助工程师实现更高功率密度 (2024.03.06)
德州仪器(TI)推出两款新型功率转换器产品组合,协助工程师在更小的空间内实现更大的功率,以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化??(GaN)功率级采用耐热增强型双面冷却封装技术,可简化散热设计并在中电压应用里实现超过1.5kW/in3的最高功率密度
ROHM EcoGaN产品被台达电子45W输出AC适配器采用 (2024.02.27)
半导体制造商ROHM推出的650V GaN元件(EcoGaN),被台湾台达电子(Delta Electronics)的45W输出AC适配器「Innergie C4 Duo」 采用。该产品透过搭载可提高电源系统效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件,在提高产品性能和可靠性的同时,更实现了小型化
保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文叙述思考下一代SiC元件将如何发展,从而实现更高的效能和更小的尺寸,并讨论建立稳健的供应链对转用SiC技术的公司的重要性。
经济部补助A+企业创新研发淬链 聚焦数位减碳及AI应用 (2024.02.15)
因应现今数位减碳及人工智慧(AI)应用需求不断增加,依经济部日前召开2024年度A+企业创新研发淬链计画第1次决审会议,共通过4项计画。 其中由世界先进拟发展全球首例化合物半导体氮化??磊晶
英飞凌氮化??解决方案协助欧姆龙实现轻小车联网充电系统 (2024.02.05)
英飞凌科技与欧姆龙社会解决方案公司合作。结合英飞凌氮化??(GaN)功率解决方案与欧姆龙的电路拓朴和控制技术,赋能欧姆龙社会解决方案公司实现了一款车联网(V2X)充电系统,这是尺寸小,同时重量轻巧的系统之一
英飞凌与安克成立创新应用中心 合作开发PD快充领域与节能解决方案 (2024.01.26)
随着行动装置、笔记型电脑和电池供电设备的不断增加,消费者对提高充电功率和充电速度的需求与日俱增。英飞凌科技(infineon)近日宣布与安克创新(Anker Innovations)在深圳联合成立创新应用中心
Transphorm新型SuperGaN器件采用4引脚TO-247封装 (2024.01.18)
全球氮化??(GaN)功率半导体供应商Transphorm推出两款采用4引脚TO-247封装的新型SuperGaN器件TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET,各别具有35毫欧和50毫欧的导通电阻,并配有一个开尔文源极端子,以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能,因应高功率伺服器、可再生能源、工业电力转换领域的需求
ST开启再生能源革命 携手自然迎接能源挑战 (2024.01.02)
随着全球能源需求於2030年预计将增长30%,同时碳排放量目标扩大至减少45%(控制全球暖化在摄氏1.5℃以内),再生能源正成为攸关人类未来的重要议题。回顾十年前,人们只顾担??石油、煤炭和天然气等资源何时枯竭,但现在人们转变思维,更注重人类在地球上的永续生存方式
Transphorm与伟诠电子合作开发氮化??系统级封装元件 (2023.12.28)
Transphorm与Weltrend Semiconductor(伟诠电子)合作推出100瓦USB-C PD电源适配器叁考设计。该叁考设计电路采用两家公司合作开发的系统级封装(SiP)SuperGaN电源控制晶片WT7162RHUG24A,在准谐振反激式(QRF)拓扑中可实现92.2%的效率
雷射辅助切割研磨碳化矽效率 (2023.12.26)
台湾厂商还具备过去多年来於矽基半导体产业累积的基础,且有如工研院等法人单位辅导,正积极投入建立材料开发、雷射辅助加工制程等测试验证平台和服务,将加速产业聚落成型
抛离传统驱动概念 加速下一代EV车的开发 (2023.12.26)
电动车越来越多地采用E轴三合一装置,将马达、逆变器和齿轮整合在一起,以实现车辆更小、更轻、成本更低,同时提高车辆性能。因此愈来愈多的汽车业者,开发出了基於X-in-1单元的多功能平台,并大量的应用於多款车型
Transphorm两款全新叁考设计应用於两轮和三轮电动车电池充电器 (2023.12.21)
全球氮化??(GaN)功率半导体供应商Transphorm推出两款针对电动车充电应用的全新叁考设计。300W和600W??流/??压(CC/CV)电池充电器采用Transphorm的70毫欧和150毫欧SuperGaN元件,以成本实现高效的AC-DC 功率转换和高功率密度
ST开启再生能源革命 携手自然迎接能源挑战 (2023.12.18)
再生能源正成为攸关人类未来的重要议题。回顾十年前,人们只顾担??石油、煤炭和天然气等资源何时枯竭,但现在人们转变思维,更注重人类在地球上的永续生存方式。
锁定5G先进基地台及行动装置应用 imec展示高效能矽基氮化?? (2023.12.14)
於本周举行的2023年IEEE国际电子会议(IEDM)上,比利时微电子研究中心(imec)发表了在8寸矽晶圆上制造的氮化铝(AlN)/氮化??(GaN)金属绝缘体半导体(MIS)高电子迁移率电晶体(HEMT),该元件能在28GHz的操作频率下展现高输出功率及能源效率
英特尔展示下世代电晶体微缩技术突破 将应用於未来制程节点 (2023.12.12)
英特尔公开多项技术突破,为公司未来的制程蓝图保留了创新发展,凸显摩尔定律的延续和进化。在今年 IEEE 国际电子元件会议(IEDM)上,英特尔研究人员展示了结合晶片背部供电和直接背部接触的3D堆叠 CMOS(互补金属氧化物半导体)电晶体的最新进展


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