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2026 ISSCC聚焦台湾研发成果 产学合作打造技术亮点 (2025.11.25)
被誉为「IC 设计界奥林匹克」的 IEEE国际固态电路研讨会（ISSCC）今年再度传来捷报。面对全球超过千篇的投稿竞争，台湾共有11篇论文入选2026年ISSCC，内容横跨记忆体运算、AI加速器、晶片互连、车用MRAM等多项关键领域，再次证明台湾在全球晶片设计版图上具有高度竞争力，并透过产学合作深化先进制程、AI晶片与系统级技术的创新动能 |
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法国科研突破：混合记忆体晶片实现高效边缘AI学习与推论 (2025.09.28)
法国科学家团队成功开发全球首款混合记忆体技术，突破了边缘AI（Edge AI）装置难以在本地同时进行高效「学习」与「推论」的技术瓶颈。这项发表於《自然?电子学》期刊的重大成果，为AI发展带来新契机 |
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新世代记忆体重大突破 台湾团队攻克SOT-MRAM材料瓶颈 (2025.09.26)
新型记忆体推进商用化，由材料科学与工程学系黄彦霖助理教授领导的研究团队，携手台积电、工研院、国家同步辐射研究中心、史丹佛大学及国立中兴大学等国际顶尖夥伴，成功突破自旋轨道力矩磁阻式随机存取记忆体（SOT-MRAM）的关键材料限制 |
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记忆体三雄SEMICON Taiwan首度同台 联手抢占AI制高点 (2025.07.29)
因应AI运算对先进记忆体效能需求急遽提升，拥有核心记忆体产业链、先进封装、系统整合优势与创新研发聚落的台湾，正快速跃升成为全球记忆体技术创新的重要基地。
为掌握记忆体新革命浪潮 |
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DDR4现货价格短短两周??涨100％ 背後原因曝光 (2025.07.01)
根据资料显示，DDR4记忆体现货价格在6月中以来急速攀升，相较不到半个月时间价格翻了一倍。其中，主流8Gb及16Gb DDR4 3200MT/s模组现货价从约?4－5美元，攀升至?8－10美元，甚至出现部分高达?150％的涨幅 |
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AI驱动记忆体革新 台积电与三星引领储存技术抢攻兆元商机 (2025.06.29)
全球新兴记忆体与储存技术市场正快速扩张，而台积电、三星、美光、英特尔等半导体巨头正与专业IP供应商合作，积极推动先进非挥发性记忆体解决方案的商业化。
过去两年 |
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创新3D缓冲记忆体 助力AI与机器学习 (2025.05.06)
imec的研究显示，包含氧化????锌（IGZO）传导通道的3D整合式电荷耦合元件（CCD）记忆体是绝隹的潜力元件。 |
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3D DRAM新突破！ 国研院联手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26)
国研院半导体中心与旺宏电子合作，成功开发「新型高密度、高频宽3D动态随机存取记忆体（3D DRAM）」，此技术突破传统2D记忆体限制，采用3D堆叠技术，大幅提升记忆体密度与效能，且具备低功耗、高耐用度优势，有助於提升AI晶片效能 |
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SOT-MRAM记忆体技术重大突破 有??改写电脑快取架构 (2025.02.10)
德国约翰古腾堡大学（JGU）研究团队携手法国Antaios公司，在自旋轨道扭矩（SOT）磁性随机存取记忆体（MRAM）技术上取得关键性进展。这项创新技术展现了取代现有电脑快取记忆体的潜力，为高效能运算开辟新道路 |
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日本光磁技术重大突破 为光储存记忆体带来新视野 (2025.02.06)
日本东北大学研究团队近日在光磁技术领域取得重大进展，成功观测到比传统磁铁高出五倍效率的光磁转矩，为开发基於光学的自旋记忆体和储存技术带来深远影响。
光磁转矩是一种可以对磁铁产生作用力的方法 |
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生成式AI为中国记忆体产业崛起带来契机 可??在中低阶市场站稳根基 (2025.01.17)
随着生成式AI技术的快速发展，全球记忆体市场需求急剧上升，这波趋势不仅刺激了全球供应链的加速转型，也为中国记忆体产业带来崭新的发展契机。长鑫存储（CXMT）等中国企业，正凭藉技术突破与市场拓展，努力缩短与全球领先企业的差距，为整个产业的竞争格局注入新的变数 |
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Weebit Nano授权ReRAM技术给安森美半导体 (2025.01.02)
以色列记忆体技术开发商Weebit Nano Limited宣布，已将其电阻式随机存取记忆体 (ReRAM) 技术授权给安森美半导体。
根据协议条款，Weebit ReRAM IP将整合到安森美半导体的Treo平台中，以提供嵌入式非挥发性记忆体 (NVM) |
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卢超群：以科技提高生产力 明年半导体景气谨慎乐观并逐步成长 (2024.12.19)
CES 是全球最具影响力的科技盛会，2025年的CES展会，??创科技集团以「创新落实、AI 落地，连结 MemorAiLink 开创未来」为主轴叁展，将展示「普识智慧 (Pervasive Intelligence) 与异质整合 (Heterogeneous Integration)」的 IC 产品理念，展现其在创新产品开发上的不懈努力 |
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Rambus与美光延长专利授权协议 强化记忆体技术力 (2024.12.11)
半导体IP商Rambus今日宣布，已与美光(Micron )专利授权协议期限延长五年。该延长协议维持现有授权条款，允许Micron在2029年底前广泛使用Rambus专利组合。其他条款和细节保密 |
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??侠发表全新记忆体技术OCTRAM 实现超低功率耗 (2024.12.10)
记忆体商??侠株式会社（Kioxia Corporation），今日宣布开发出全新记忆体技术OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，这是一种新型 4F2 DRAM，采用具备高导通电流和超低截止电流的氧化物半导体电晶体 |
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Crucial扩展DDR5 Pro电竞记忆体产品组合 为游戏玩家提供更快速度 (2024.10.30)
美光科技推出 Crucial DDR5 Pro 超频电竞记忆体，以全新 6,400 MT/s 的速度，为玩家提供更流畅、更快速的游戏体验。此次产品更新是继 2月首次推出的6,000 MT/s 电竞记忆体解决方案後的进一步升级 |
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美光超高速时脉驱动器DDR5记忆体产品组合 可助新一波AI PC发展浪潮 (2024.10.16)
美光科技推出全新类别的时脉驱动器记忆体━Crucial DDR5 时脉无缓冲双列直??式记忆体模组（CUDIMM）和时脉小型双直列记忆体模组（CSODIMM），现已大量出货。这些符合 JEDEC 标准的解决方案运行速度高达 6,400 MT/s，是 DDR4 速度的两倍之多，比传统的非时脉驱动器 DDR5 快 15% |
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微星科技於FMS 2024展出CXL记忆体扩展伺服器 (2024.08.07)
全球伺服器供应商微星科技（MSI），於美国The Future of Memory and Storage活动中展出基於第四代AMD EPYC处理器的新款CXL（Compute Express Link）记忆扩展伺服器，新品与合作夥伴三星电子（Samsung）和MemVerge联合展示 |
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美光最低延迟创新主记忆体MRDIMM正式送样 (2024.07.18)
因应工作负载要求的日益严苛，为了充分发挥运算基础架构的最大价值。美光科技（Micron）宣布其多重存取双列直??式记忆体模组（MRDIMM）开始送样。MRDIMM针对记忆体需求高达每DIMM ??槽128GB以上的应用 |
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美光揭??永续行动进展 迈向未来创新目标 (2024.07.05)
美光科技发布 2024 年永续经营报告，详述美光的永续发展成果，并持续推动可为未来创造全新机会与突破的技术进程。美光总裁暨执行长 Sanjay Mehrotra 表示，美光 2024 年永续经营报告展现透过科技回??全球社群与环境的决心；期待协助引领整个半导体产业和生态系统取得更长足的进步 |
