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Pure Storage:All Flash让储存也走向现代化 (2016.07.29) 固态储存阵列供应商Pure Storage宣布,专门用途设计的旗舰级全快闪(all-flash)储存阵列现在推出新的入门机型FlashArray//m10。这款FlashArray//m系列的新产品是专为中型IT组织设计的完整储存方案,同时也为寻求建构关键商务应用全快闪能力的较大规模企业提供一个经济实惠的切入点 |
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Micron:加速发展3D NAND 将资料储存带入新纪元 (2016.07.20) 消费者已经对于资料即时传递充满期待,难以接受等待电脑开机、相片、影片或大型储存档案的载入。多亏快闪储存装置的即时载入能力,消费者不再需要像过往采用旋转式HDD等待资料载入,美光最新的3D NAND SSD系列,就满足了消费者的期待 |
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慧荣加速3D TLC NAND用户端SSD市场普及速度 (2016.07.13) 今年,3D NAND已几乎占据用户端SSD市场半壁江山,而采用高级SSD控制器实现低成本高性能、基于3D TLC NAND的解决方案则是促成这一转变的关键。慧荣科技(Silicon Motion)推出了SM2258这款搭载?体并支援全系列SATA 6Gb/s SSD控制器解决方案,可支援所有主流NAND供应商最新发布的3D TLC NAND产品 |
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SanDisk:主流消费市场快速储存的需求 必须被满足 (2016.07.06) 由于内容创作、消费量与生产力正驱动着更高效能、更大空间的储存解决方案需求,因此市场需要全新效能等级、以及更多样化的储存解决方案,来应对市场不断变迁的储存需求 |
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应材:2016年宏观经济环境与2015年类似还有成长空间 (2016.01.21) 以精密材料工程解决方案见长的应用材料公司,2015会计年度全年整体营收达96.6亿美元,年增6%。半导体设备的订单与营收达到自2007年以来的新高,其中蚀刻(Etch)、化学气相沉积(CVD)、化学机械研磨(CMP)等产品所贡献的营收都创下近年来的新高点 |
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擎泰裁员七成NAND控制器市场更加严峻 (2015.12.03) 曾经是前兴柜股王,目前专注于NAND Flash控制晶片的擎泰,近日传出将裁员七成的消息。若消息属实,则到明年三月,将只剩下10名左右员工。此消息一出,也使得台湾记忆体业界为之震惊 |
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应材:2D转进3D NAND的趋势正加速进行 (2015.10.06) 今年整体的半导体景气,相较于2014年是为持平,或有下修的风险。最主要的原因是来自于晶圆代工的良率改善、库存管控,以及机台再利用(tool reuse)等方面。应用材料集团副总裁余定陆指出,目前应材在DRAM和NAND方面的成长,会抵销部分来自于晶圆代工疲弱的影响 |
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Xilinx推出LDPC错误校正IP基础 (2015.08.13) 美商赛灵思(Xilinx)推出低密度奇偶校验(Low-Density Parity-Check;LDPC)错误校正IP基础,为云端与资料中心储存市场实现各种新一代快闪型应用。由于各种3D NAND技术让NAND快闪记忆体不断精进,LDPC错误校正已然成为一项关键的核心功能以因应现今储存解决方案对可靠度和耐用度的严格要求 |
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东芝16颗粒堆叠式NAND快闪记忆体搭载TSV技术 (2015.08.07) 东芝公司(Toshiba)宣布研发出运用矽穿孔(TSV)技术的16颗粒(最大)堆叠式NAND快闪记忆体。东芝将于8月11~13日在美国圣克拉拉举行的2015年快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型 |
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全SSD储存时代正式来临 (2015.07.23) SSD已在PC储存应用市场大放异彩。
挟着高速、稳定、低耗能的优势,
SSD还将进一步迈向资料中心、数位看板等商用市场。 |
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Altera FPGA架构储存设计可延长NAND快闪记忆体使用寿命 (2015.07.03) Altera公司开发采用其Arria 10 SoC架构的储存参考设计,与目前的NAND快闪记忆体相比,NAND快闪记忆体的使用寿命将加倍,程式擦除周期数增加了7倍。参考设计在经过最佳化的高性能价格比单晶片解决方案中,包括一颗Arria 10 SoC和整合双核心ARM Cortex A9处理器,同时采用了Mobiveil的固态硬碟(SSD)控制器,以及NVMdurance的NAND最佳化软体 |
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TDK推出支持串行ATA 6Gbps的高可靠性固态硬盘SDS1B系列 (2015.05.11) (日本东京讯)TDK株式会社将于2015年8月开始发售搭载有可支持串行ATA 6Gbps的NAND型闪存控制IC GBDriver GS1的2.5inch型工业用固态硬盘SDS1B系列产品。
近年来,以OS的高容量化及4K、8K全高画质数字播放为代表的高画质大容量数据的储存等都逐渐要求储存器实现高速、大容量的用途 |
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Intel蝉联半导体冠军 营收创十年新高 (2012.03.27) 拜强劲的核心芯片销售所赐,以及并购策略奏效,Intel在2011年全球半导体营收市占率攀升至15.6%,相较2010年的13.1%成长了2.5%,不仅创下了10年来的最高纪录,也顺利地再度蝉联全球半导体营收冠军 |
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可取代NAND快闪的新内存技术问世 (2010.05.20) Unity半导体公司不断致力于新内存技术的开发,不久前该公司宣布成功开发一种可取代NAND Flash的新内存技术,相信不久以后,NAND Flash为记忆卡和固态硬盘唯一解决方案的局面将出现大幅改变 |
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CES 2010:G世代NAND拉抬USB3.0话题热 (2010.01.06) NAND闪存的主流制程将在今年达到40奈米以下,这项新制程将让NAND芯片读写速度提高1倍,正式跨入G世代,也让NAND业者全力支持USB3.0发展,包括三星、东芝、英特尔等业者,都于CES展中宣示跨入USB3.0世代 |
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恒忆推出新系列NAND闪存 (2008.12.22) 恒忆(Numonyx)针对无线通信、嵌入式设计和数据储存应用推出新系列NAND闪存产品,持续为业界提供完整的 NOR、NAND、RAM和PCM(相变化内存)解决方案。新系列产品包括高达32Gb(gigabits)的MLC NAND、32GB(gigabytes)的eMMC和高达8 GB的microSD产品,均采用先进的41奈米制程 |
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惠瑞捷推出V6000闪存及DRAM测试系统 (2008.11.28) 惠瑞捷(Verigy) 宣布推出V6000测试系统,可在同一套自动化测试设备 (ATE) 机台上,测试快闪和DRAM内存,测试成本低于现有的解决方案。多功能的V6000可调整适用于半导体内存的各个测试阶段,包括工程测试、晶圆测试 (Wafer Sort)、以及终程测试 (Final Test) 等 |
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Numonyx暂缓意大利Catania 12吋厂计划 (2008.11.18) 外电消息报导,非挥发性内存供货商恒忆(Numonyx)日前表示,由于受全球经济成长趋缓的影响,原订在意大利Catania兴建12吋晶圆厂的计划将暂缓实施,最快要到2010年以后才会定案 |
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Spansion推出高性能NAND闪存生产计划 (2008.09.15) 纯闪存解决方案供货商Spansion公布了即将推出的MirrorBit ORNAND2产品系列生产计划,该系列产品的写入速度可提高25%,读取速度最高可提升一倍,其裸片尺寸也比目前的浮动闸门NAND闪存明显减小 |
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海力士打造清州厂为全球第一大NAND内存工厂 (2008.09.04) 海力士半导体位于韩国清州市、支持300mm(12吋)晶圆的新制造生产线M11落成,海力士并邀请当地政府官员等举行完工典礼。
据了解,M11将采用40nm制程,用于生产16Gbit及32Gbit等高密度NAND闪存 |