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海力士清洲新NAND内存厂正式投产 (2008.08.31)
外电消息报导，韩国内存芯片制造商海力士（Hynix）日前表示，其在韩国清洲新建的新一代NAND闪存厂将正式投产，预计月产能将达到30万片。
Hynix表示，新的清州内存厂，预计月产量将可达到30万片，而依据进度来看，将有望在几个月之后，把产能提高到50万片左右 |
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英特尔宣布高效能SATA固态硬盘机计划 (2008.08.21)
英特尔NAND产品事业群于英特尔科技论坛中说明市场高度期待的高效能固态磁盘SSD系列产品的规划与时间表。此系列产品乃满足针对笔记型、桌面计算机、企业服务器、储存系统与工作站应用设计上的需求 |
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恒忆与海力士将延长5年NAND Flash合作计划 (2008.08.19)
恒忆（Numonyx B.V.）和海力士半导体（Hynix Semiconductor）日前宣布，将延长两公司在NAND闪存升级产品和技术开发的合作计划。据了解，两公司未来将扩大NAND闪存产品和技术的合作开发范围，并将为加快开发速度而进行经营资源的一体化 |
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TDK推出兼容U.DMA6的NAND Flash控制器 (2008.08.11)
TDK宣布开发出GBDriver RA8系列NAND闪存控制器，该产品计划于九月份开始销售。
GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC。该控制器支持单级单元（SLC）和多级单元（MLC）NAND闪存，实现了从128M字节到16G字节（SLC），和256M字节到32G字节（MLC）的高速闪存储存容量 |
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美光将大举进军SSD市场 (2008.06.11)
美光科技（Micron）将大举进军SSD市场。据了解，美光在台湾举办内存日（Memory Day），除了宣布将以34奈米生产高良率32Gb NAND闪存，也将大举进军32GB到128GB高容量固态硬盘（SSD）市场，而预计SSD将是未来NAND闪存的最大市场 |
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美光Memory Day 揭露NADA发展蓝图 (2008.06.11)
内存领导厂美光（Micron）10日在台举行的「Memory Day」上表示，将持续在NAND内存制程上取得领先地位，除了提供目前已量产的50奈米产品外，并预计在今年第4季时，把34奈米制程的高容量NAND内存芯片推向市场 |
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Numonyx现身Computex 锁定台湾嵌入式市场 (2008.06.04)
充满话题性的恒忆(Numonyx)内存公司也在今年的Computex展上现身，除了正式向台湾宣布其成立消息外，同时也点明其在台湾的业务策略。未来Numonyx将主攻嵌入式应用市场，积极进入有线通讯业、汽车业、消费电子产业、制造业及计算机信息业等领域 |
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东芝将以硬盘经验发展多层NAND型SSD (2008.05.12)
东芝表示，未来将以多层化技术着手开发NAND型SSD固态硬盘。据了解，东芝社长西田厚聪在东京2008年度经营方针说明会上做了以上的表示。此外，在笔记本电脑市场上，将努力在2010～2011年获得50％的市占率 |
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Spansion力推MirrorBit ORNAND2架构开发计划 (2008.04.24)
Spansion宣布在意大利米兰设立其安全及先进技术事业部（Security and Advanced Technology Division；SATD）总部，以强化MirrorBit ORNAND2架构及安全产品策略的开发计划。该部门将负责Spansion各种不同闪存安全解决方案的开发工作，并将MirrorBit技术拓展到目前NAND所服务的应用领域 |
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iSuppli：NAND销售成长率由27％调降至9％ (2008.04.08)
次贷风暴对全球经济以及消费者影响甚巨，消费电子市场也深受影响，消费需求量持续减缓，市调公司iSuppli也因此调降了2008年全球NAND闪存销售成长率的预估值。
NAND在2007年销售额为139亿美元，iSuppli预估2008年NAND销售额可达152亿美元，成长率为9％，远低于原本估计的179亿美元，27％的成长率 |
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大厂合资加持 恒忆进军内存市场 (2008.04.02)
恒忆(Numonyx B.V.)宣布正式成为一家独立的半导体公司，其业务着重于NOR、NAND和RAM内存技术，以及最新的相变内存(PCM)技术，提供创新的内存解决方案。这家新公司将提供服务给生产各种包括移动电话、MP3播放器、数字相机、超级行动计算机(ultra-mobile computers)和其他高科技设备等各种消费性及工业电子产品的客户 |
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ST、Intel及FRANCISCO的恒忆合资案完成交易 (2008.04.01)
意法半导体与英特尔及Francisco Partners公司宣布日前公布的Numonyx合资案已完成交易。交易完成后，意法半导体以NOR和NAND闪存的资产和业务资源（包括相变内存资源和NAND的合资公司），取得Numonyx(恒忆)48.6%的股权和1.556亿美元的长期次级票券，这些长期票券将产生按适当的市场利率计算之利息收益 |
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东芝正式量产128GB多层NAND Flash固态硬盘 (2008.03.24)
位于美国的东芝电子（Toshiba America Electronic Components）近日宣布，东芝将开始量产使用多层NAND闪存架构的固态硬盘（SSD）。这是该公司首次正式量产多层NAND闪存架构的固态硬盘芯片，预估最早上市出货的产品将是嵌入式的128GB内存模块产品，重量约为15g |
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iSuppli:Q2将是08年下半年半导体市场的关键指针 (2008.03.10)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli日前表示，原先预期2008年全球半导体市场的销售收入将快速成长，成长率将从2007年的4.1%提高到7.5%。但由于价格疲软与NAND闪存需求减少等因素，iSuppli预计将微幅下调今年半导体市场的成长预期 |
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东芝将投资兴建两座NAND Flash工厂 (2008.02.22)
东芝将投资兴建两座月产能40万片NAND Flash工厂。据了解，东芝将于2009年春季分别在日本岩手县北上市和三重县四日市同时兴建两座工厂，并计划于2010年正式量产。预计产能为每座工厂每月15万～20万片，总产能将达每月30万～40万片，而总投资额将超过1兆7000亿日圆（约158亿美元） |
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美光今年将推出35nm多层架构的SSD硬盘 (2008.01.23)
美光科技（Micron Technology）2008年将正式推出35奈米制程的多层架构的SSD（solid state drive）固态硬盘产品。据了解，美光2008年将着力于SSD业务上，以加速取代目前的传统硬盘 |
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东芝和SanDisk共同发表43nm制程NAND Flash (2007.12.25)
东芝与美国SanDisk共同发表了采用43nm制程，和2bit/单元多层技术所生产的16Gbit NAND闪存。这种芯片面积仅120平方公厘，可封装在超小型储存卡microSD内。新产品配备了控制栅极驱动电路和存储数组上的电源总线，NAND串数延长至66个，并减小电路面积达9％以上 |
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海力士成功开发24层NAND Flash堆栈封装技术 (2007.09.13)
海力士半导体（Hynix Semiconductor）成功开发出24层堆栈、每层厚度为25μm的NAND型闪存，总厚度为1.4mm的MCP多芯片封装。这是在目前的MCP产品之中，堆栈层数最多的一次。
海力士是于2007年5月开发出了层迭20层芯片的MCP |
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东芝和SanDisk合资的NAND Flash新厂完工启用 (2007.09.07)
东芝和SanDisk共同在四日市举行了NAND型闪存新厂（Fab4）完工启用典礼。东芝社长西田厚聪表示内存业务是「利润成长」目标具体化的表现，并表示Fab4厂拥有三个世界第一的头衔 |
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IC产品破茧催生崭新市场研讨会 (2007.08.22)
从任天堂的Wii藉由MEMS制程开发出Motion Sensor，使人机互动更趋人性化，到苹果推出i-Phone手机借着触控面板技术，成功将复杂多媒体手机简单化，进而吸引了其它诸如手机、MP3 Player、PND、甚至UMPC等可携式电子业者竞相投入触控面板之应用开发 |
IEEE的创立，是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新，与提供会员实质上的协助。
