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CTIMES / Mosfet
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扩展性强大的网页编辑语言 - XML

XML的全名为Extensible Markup Language,意即为可扩展标记语言,是W3C所发展出来的网页撰写语言。
Microchip抗辐射MOSFET获得商业航太和国防太空应用认证 (2021.06.09)
太空应用电源必须可以承受极端的太空环境,并在抗辐射技术环境中运作无碍,防止遭受到极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响失效发生事端,导致降低太空系统的效能并干扰运行
三星首款MOSFET冰箱变频器 采用英飞凌600V CoolMOS功率产品 (2021.05.27)
英飞凌科技向三星电子供应具有最高能源效率及最低噪音的功率产品。这些功率装置已整合在三星最新款的单门式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)与FDR(对开式:RF18A5101SR)变频式冰箱
英飞凌改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组 采用新型AIN陶瓷基板 (2021.05.12)
英飞凌科技利用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板,成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组。此半桥式装置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B两种封装型式,导通电阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V装置采用高性能陶瓷,因此适合高功率密度应用,如太阳能系统、不断电系统、辅助变频器、储能系统及电动车充电器等
ST推出隔离式闸极驱动器 可安全控制碳化矽MOSFET (2021.03.30)
半导体供应商意法半导体(ST)宣布推出STGAP系列隔离式闸极驱动器的最新产品STGAP2SiCS,可安全控制碳化矽(SiC)MOSFET,且作业电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产生高达26V的闸极驱动电压,将欠压锁定(UVLO)??压提升到15.5V,满足SiC MOSFET开关二极体正常导电要求
英飞凌新款650V EiceDRIVER整合靴带二极体 强化强固性及快速切换 (2021.03.26)
英飞凌科技宣布扩展旗下EiceDRIVER产品组合,推出全新650V半桥式与高低侧闸极驱动器,采用公司独特的绝缘层上矽(SOI)技术,提供市场最先进的负VS瞬态电压抗扰性与真正靴带二极体的单片整合,因此有助於降低BOM,并在精简的外型尺寸以MOSFET与IGBT打造更强固的设计
英飞凌推出新一代80V与100V功率MOSFET 电源效率再升级 (2021.03.22)
英飞凌科技推出StrongIRFET 2新一代功率MOSFET技术的80V和100V产品。新产品拥有广泛的经销供货通路和出色的性价比,成为设计人员可以便利选购的理想产品。该产品系列针对高、低切换频率进行最隹化,可支援广泛的应用范围,提供高度的设计灵活性,可受益於StrongIRFET的应用包括SMPS、马达驱动、电池充电工具、电池管理、UPS及轻型电动车
车辆中的小型电气驱动器:在发展自动驾驶过程中提升便利性 (2021.03.15)
未来,自动驾驶将会显着提高驾驶的便利性,到那时候,许多小型电气驱动器将使车辆的控制更加轻松与便捷。
安森美推出全新650V碳化矽MOSFET系列 满足车规与工规应用需求 (2021.02.18)
安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET装置,适用於对功率密度、能效和可靠性要求极高的应用。设计人员用新的SiC装置取代现有的矽开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、伺服器电源(PSU)、电信和不断电供应系统(UPS)等应用中实现显着的更隹性能
直接透过汽车电池输入进行DC-DC转换 (2021.01.19)
在严苛的汽车和工业环境中,通常会选择内建MOSFET功率切换开关的单晶片式降压稳压器,不仅可节省空间,同时更可实现低EMI和卓越的散热性能。
ROHM推出第五代Pch MOSFET 超低导通电阻助装置节能与小型化 (2020.12.28)
半导体制造日商ROHM研发出共计24款Pch MOSFET产品,包括支援24V输入电压的耐压━40V和━60V单极型「RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列」和双极型「UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列」,适用於FA、机器人、空调装置等工控装置之风扇马达和电源管理开关,以及大型消费性电子装置用之风扇马达、空调和电源管理开关
英飞凌全新CoolSiC MOSFET 实现无需冷却风扇的伺服驱动方案 (2020.11.16)
英飞凌科技支援机器人与自动化产业实作免维护的马达变频器,今日宣布推出采用最隹化D2PAK-7 SMD封装、搭载.XT互连技术的全新1200V CoolSiC MOSFET,可实现被动冷却。相较於矽基解决方案,其损耗可降低达80%,因此不再需要冷却风扇与相关服务
英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET 新添PQFN封装40V装置 (2020.11.03)
当代的电源系统设计需要高功率密度和精巧的外型尺寸,进而得到最高的系统级效能。英飞凌科技专注於强化元件级的系统创新,来应对上述挑战。继2月份推出25V装置後,英飞凌再推出OptiMOS 40V低电压功率MOSFET,采用源极底置(Source-Down;SD)的PQFN封装,尺寸为3
贸泽供货Microchip AgileSwitch相脚功率模组 整合MOSFET和二极体优点 (2020.10.16)
半导体与电子元件、授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布即日起供货Microchip Technology最新的AgileSwitch相脚SiC MOSFET模组。此模组体积轻巧且具高整合度,整合了碳化矽(SiC)MOSFET和SiC二极体,将两种装置的优点结合到同一个解决方案之中
ROHM推出1cm2超小型车电MOSFET 满足设备高密度需求 (2020.10.08)
近年来,随着汽车电子化加速,汽车电子和半导体元件数量也呈现增加趋势。因此,必须要在有限的空间里安装更多元件,使安装密度也能够越来越高。例如,1个车电ECU中的半导体和积层陶瓷电容的平均使用数量,预计将从2019年的186个,增加约三成至2025年的230个
降低开关损耗 儒卓力供货Rohm节能SiC-MOSFET (2020.08.26)
Rohm的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽闸结构(650V / 1200V)的碳化矽MOSFET元件,提供4引脚封装(TO-247-4L)型款,与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比,可最大限度地提高开关性能,并将开关损耗降低多达35%
英飞凌推出全新马达系统IC 开拓汽车马达系统的整合新境界 (2020.07.21)
从电动尾门、天窗、电动座椅调整乃至燃油泵等各种应用,电动马达的数量越来越多,协助确保了现今汽车的安全与舒适性。 英飞凌科技推出全新马达系统IC系列产品,专为控制有刷及无刷马达所设计
英飞凌推出62mm CoolSiC模组 开辟碳化矽全新应用 (2020.07.17)
英飞凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模组系列新添62mm工业标准模组封装产品。62mm封装之产品采用半桥拓扑设计及沟槽式晶片技术,已受到业界的肯定。此封装为碳化矽打开了250kW以上(此为矽基IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门
ROHM推出第4代低导通电阻SiC MOSFET 加速车载动力逆变器的普及 (2020.06.17)
半导体制造商ROHM推出「1200V 第4代SiC MOSFET」,适合用於动力逆变器等车电动力总成系统和工控装置电源。 对於功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间就会缩短,两者之间存在着权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,也必须同时考虑如何兼顾短路耐受时间
ST推出高整合度通用型车门锁控制器 简化设计并提升安全性 (2020.06.08)
半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics;ST)L99UDL01通用型车门锁IC整合6个MOSFET半桥输出和两个半桥闸极驱动器,以及电路保护和诊断功能,可提升方案安全性、简化设计并节省空间
英飞凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 采用高压SMD封装 (2020.06.08)
继今年稍早推出的650V产品後,英飞凌科技扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级,现在更新添具专属沟槽式半导体技术的1700V电压等级产品。新款1700V表面黏着装置(SMD)产品充分发挥了碳化矽(SiC)强大的物理特性,提供优异的可靠性和低切换及导通损耗

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