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下一代低VCE sat双极电晶体 (2010.10.12)
近年来，中功率双极电晶体在饱和电阻及功率选择范围上的重大改进，大幅扩展此类元件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型中功率电晶体BISS 4充分凸显双极电晶体的技术优势，为开关应用提供更高的功率与更低损耗，并开创新的应用领域 |
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瑞萨电子新款功率半导体 可使安装面积减半 (2010.10.06)
瑞萨电子近日发表RJK0222DNS及RJK0223DNS之开发作业，这两款功率半导体采用超小型封装，可使用于DC/DC转换器，供电给服务器及笔记本电脑等产品之CPU、内存及其他电路区块 |
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瑞萨全新功率MOSFET因应电流量新需求 (2010.09.16)
瑞萨电子近日宣布，推出最新第12代功率MOSFET产品RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA，为适用于一般负载点（POL）、基地台、计算机服务器及笔电DC/DC转换器中之功率半导体装置 |
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英飞凌推出ThinPAK 8x8无铅SMD封装的高压MOSFET (2010.05.07)
飞凌日前宣布推出新型 ThinPAK 8x8 无铅 SMD 封装的高压 MOSFET。新型封装面积仅有 64mm² （小于 D2PAK 的 150mm²），且高度仅 1mm（低于 D2PAK 的 4.4mm），不但尺寸极小，又具备标准的低寄生电感，为设计人员提供一个全新且有效缩小系统方案尺寸的功率密度设计 |
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提升汽车应用 NXP采用LFPAK封装MOSFET系列 (2010.04.29)
恩智浦半导体（NXP）近日成为第一家采用LFPAK封装（一种小型热增强的无损耗封装）的全系列汽车功率MOSFET供货商。结合恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新型符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET被认为是功率SO-8封装 |
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ROHM针对电池驱动行动装置 新增0.9V驱动阵容 (2010.03.22)
ROHM近日宣布，针对行动音响、录音笔、电子辞典、随身收音机、电子玩具等，行动装置电源电路用MOSFET“ECOMOS”系列扩增其产品阵容，新增首创0.9Ｖ驱动产品。
此新产品已经开始样品出货（样品价格10日圆／个），预定自2010年2月下旬开始量产 |
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快捷推出高效率、节省空间的N沟道MOSFET器件 (2010.03.16)
因应手机、可携式医疗设备和媒体播放器等可携式应用设备的设计和组件工程师对在其设计中加入高效、节省空间的器件的需求，快捷半导体（Fairchild）推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用先进的PowerTrench制程技术，具有更低的RDS（ON），更高的效率，并可延长电池寿命 |
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英飞凌推出OptiMOS稳压MOSFET及DrMOS系列产品 (2010.03.08)
英飞凌科技近日于美国加州举办的「2010 应用电力电子研讨会暨展览会」上，宣布推出新款OptiMOS功率MOSFET系列产品。英飞凌所推出的OptiMOS 25V系列装置经过优化，适合应用于计算机服务器电源之稳压及电信/数据通讯之开关 |
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CISSOID引入新系列P信道高温功率MOSFET晶体管 (2010.03.01)
高温半导体解决方案的CISSOID，引进VENUS的新系列高温30V的P信道功率MOSFET晶体管，其保证操作在摄氐负55度到225度之间。P信道功率MOSFETs的VENUS系列命名为CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏电流额定分别为2A、4A及8A |
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TI推全整合型Fusion Digital Power双路功率驱动器 (2010.02.25)
德州仪器（TI）宣布推出一款具备整合型功率MOSFET、保护区块以及监控功能的数字双路同步降压功率驱动器，相较于业界标准的驱动器，此新产品可节省80%的电路板空间与组件使用量 |
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ON扩充功率开关产品阵容推出高压MOSFET系列 (2010.02.23)
安森美半导体（ON）于昨日（2/22）宣布，推出包括500 V和600 V组件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管系列。这些新方案的设计适合功率因子校正和脉冲宽调变段等高压、节能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要 |
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TI推出新款可降低顶部热阻的功率MOSFET (2010.01.14)
德州仪器 (TI) 于昨日（1/13）宣布，针对高电流DC/DC应用推出首款透过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET产品系列。DualCool NexFET功率 MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将通过MOSFET的电流提高50%，并且提供了更好的散热管理 |
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TI：大电流小体积是MOSFET发展终极趋势 (2010.01.13)
德州仪器（TI）针对高电流DC/DC应用，推出业界第一个透过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。DualCool NexFET功率MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将通过MOSFET的电流提高50％ |
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Diodes针对VoIP应用发表新型MOSFET组件 (2009.12.05)
Diodes公司于周三（11/2）宣布，推出了两款新型的N信道MOSFET组件，该公司表示，此款产品将能为VoIP 通讯设备的设计带来更坚固，且能大幅简化电路和成本的解决方案。
其全新的ZXMN15A27K及ZXMN20B28K组件，针对多类型不同的VoIP应用而特别设计，满足基于变压器的用户线路接口电路DC/DC转换器对基本切换位置的严格要求 |
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ADI推出全新的高速18伏特MOSFET驱动器家族 (2009.11.17)
美商亚德诺公司（ADI）于周一（11/16）宣布，推出全新的高速18伏特 MOSFET驱动器家族，能提供2A 与4A 的峰值电流。其具有14ns至35ns（毫微秒）的最低传播延迟以及10ns至25ns的边缘上升 / 下降时间 |
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IR推出基准工业级30V MOSFET (2009.08.27)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR） 推出一系列工业认可的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET ，为不断电系统（UPS）反相器、低电压电动工具、ORing应用，以及网络通讯和服务器电源等应用，提供非常低的闸电荷（Qg） |
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IR 150V和200V MOSFET可提供非常低闸电荷 (2009.08.19)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为包括开关模式电源（SMPS）、不断电系统（UPS）、反相器以及DC马达驱动器等工业应用，提供非常低的闸电荷（Qg） |
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IR新款DirectFET MOSFET提供超低导通电阻 (2009.08.13)
国际整流器公司（IR）推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型的25V组件提供业界最低的导通电阻（RDS(on)），并且针对动态ORing、热切换及电子保险丝等DC开关应用作出了优化。
IRF6718新款大型的DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，提供极低的RDS(on)—在10V Vgs一般只有0.5mOhm，同时较D2PAK的面积小60%，而且厚度小85% |
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Diodes新型MOSFET组件专攻LED背光应用 (2009.08.12)
Diodes公司推出15款针对LCD电视和监视器背光应用的新型MOSFET组件，进一步扩展其多样化的MOSFET 产品系列。新组件采用业界标准的TO252和SO8封装，具有高功率处理能力和快速开关功能，满足高效率CCFL驱动器架构的要求 |
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Diodes推出新型双MOSFET组合式组件 (2009.07.07)
Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816组件，它把一对互补性的100V增强式MOSFET结合于一个SO8封装，性能可以媲美体积更大的个别封装零件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括DC散热扇和反相器电路、D类放大器输出级，以及其他多种类型的48V应用 |
