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CTIMES / Mosfet
科技
典故		 叫醒硬件准备工作的BIOS

硬件组装在一起，只是一堆相互无法联系的零件，零件要能相互联络、沟通与协调，才能构成整体的「系统」的基础，而BIOS便扮演这样的角色。
ROHM推出1cm2超小型车电MOSFET 满足设备高密度需求 (2020.10.08)
近年来，随着汽车电子化加速，汽车电子和半导体元件数量也呈现增加趋势。因此，必须要在有限的空间里安装更多元件，使安装密度也能够越来越高。例如，1个车电ECU中的半导体和积层陶瓷电容的平均使用数量，预计将从2019年的186个，增加约三成至2025年的230个
降低开关损耗 儒卓力供货Rohm节能SiC-MOSFET (2020.08.26)
Rohm的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽闸结构(650V / 1200V)的碳化矽MOSFET元件，提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35%
英飞凌推出全新马达系统IC 开拓汽车马达系统的整合新境界 (2020.07.21)
从电动尾门、天窗、电动座椅调整乃至燃油泵等各种应用，电动马达的数量越来越多，协助确保了现今汽车的安全与舒适性。 英飞凌科技推出全新马达系统IC系列产品，专为控制有刷及无刷马达所设计
英飞凌推出62mm CoolSiC模组 开辟碳化矽全新应用 (2020.07.17)
英飞凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模组系列新添62mm工业标准模组封装产品。62mm封装之产品采用半桥拓扑设计及沟槽式晶片技术，已受到业界的肯定。此封装为碳化矽打开了250kW以上（此为矽基IGBT技术在62mm封装的功率密度极限）中等功率应用的大门
ROHM推出第4代低导通电阻SiC MOSFET 加速车载动力逆变器的普及 (2020.06.17)
半导体制造商ROHM推出「1200V 第4代SiC MOSFET」，适合用於动力逆变器等车电动力总成系统和工控装置电源。 对於功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间就会缩短，两者之间存在着权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，也必须同时考虑如何兼顾短路耐受时间
ST推出高整合度通用型车门锁控制器 简化设计并提升安全性 (2020.06.08)
半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）L99UDL01通用型车门锁IC整合6个MOSFET半桥输出和两个半桥闸极驱动器，以及电路保护和诊断功能，可提升方案安全性、简化设计并节省空间
英飞凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 采用高压SMD封装 (2020.06.08)
继今年稍早推出的650V产品後，英飞凌科技扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级，现在更新添具专属沟槽式半导体技术的1700V电压等级产品。新款1700V表面黏着装置(SMD)产品充分发挥了碳化矽(SiC)强大的物理特性，提供优异的可靠性和低切换及导通损耗
英飞凌推出D2PAK 7pin+封装的StrongIRFET MOSFET 瞄准电池供电应用 (2020.05.18)
英飞凌科技股进一步壮大StrongIRFET 40-60 V MOSFET 产品阵容，推出三款采用D2PAK 7pin+封装的新装置。这些新装置具有极低的RDS(on)和高载流能力，可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性
英飞凌推出650V CoolMOS CFD7A系列 打造汽车应用的超接面MOSFET效能 (2020.05.08)
为满足电动车市场需求，英飞凌科技推出全新CoolMOS CFD7A产品系列。这些矽基高性能产品适用於车载充电器系统的PFC和DC-DC级，以及专为电动汽车应用优化的高低压DC-DC转换器
明纬：MOSFET代替二极体 满足LED显示屏市场冗馀应用 (2020.03.31)
近几年全彩LED显示屏兴起，其高亮度大萤幕吸睛的特点，被众多广告商、地产商所喜爱。为了提供更好的观赏体验，对於画面的清晰度和真实度要求越来越高，小间距LED显示屏不仅成为业界的新宠儿也将是未来的发展趋势
SiC MOSFET适用的PI SCALE-iDriver符合AEC-Q100汽车认证 (2020.03.18)
中高压变频器应用闸极驱动器技术厂商Power Integrations(PI)今日宣布推出用於碳化矽(SiC) MOSFET的高效单通道闸极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriver，该产品现已通过AEC-Q100认证，可供汽车使用
安森美半导体推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增长应用 (2020.03.11)
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出另两个碳化矽(SiC)MOSFET系列，扩展了其宽能隙(WBG)元件系列。这些新元件适用於各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不断电电源设备(UPS)、伺服器电源和EV充电站，提供的性能水准是矽(Si)MOSFET根本无法实现的
英飞凌推出低频应用的600V CoolMOS S7超接面MOSFET (2020.03.03)
英飞凌科技股份有限公司成功开发出满足最高效率和品质要求的解决方案，针对MOSFET低频应用推出600V CoolMOS S7系列产品，带来优异的功率密度和能源效率。 CoolMOS S7系列产品的主要特点包括导通性能优化、热阻改善以及高脉冲电流能力，并且具备最高品质标准
英飞凌推出CoolSiC MOSFET评估板 适用於最高7.5kW马达驱动 (2019.11.14)
碳化矽(SiC)正逐渐成为太阳能光电和不断电系统等应用的主流。英飞凌科技股份有限公司正将这项宽能隙技术锁定另一组目标应用：EVAL-M5-E1B1245N-SiC评估板将有助於SiC在马达驱动的应用中奠定基础，并强化英飞凌在工业SiC市场的领先地位
ROHM推出4引脚封装SiC MOSFET SCT3xxx xR系列 (2019.09.24)
半导体制造商ROHM推出6款沟槽闸结构SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」产品（耐压650V／1200V），适用於有高效率需求的伺服器电源、太阳能变流器及电动车充电站等应用。 此次新研发的系列产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分发挥SiC MOSFET本身的高速开关性能
锁定新一代导弹制动系统的无电刷直流马达 (2019.07.05)
现代马达在无电刷直流马达（BLDC）在内所达致各方面的进步，使得业界已经能做出更小、更轻、更廉价、更有效率的CAS设计。为了要驱动BLDC的三个相位，导致系统复杂度提高
您的电动汽车充电系统具有适当的安全性，有效性和可靠性? (2019.05.02)
本文概述了市场上不同类型的电动汽车充电站，展示了常见的结构以及如何将安全性，效率和可靠性整合到最佳设计中。
稳健的汽车40V功率 MOSFET提升汽车安全性 (2019.04.01)
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足电动助力转向系统（EPS）和电子驻车制动系统 （EPB）等汽车安全系?的机械、环境和电器要求。
600V超接合面MOSFET PrestoMOS系列具有快速反向恢复时间 (2019.03.21)
在全球的功率需求中，近50%用于马达驱动，随着生活家电在新兴国家的普及，马达驱动带来的功率消耗量预计会逐年增加。
安森美半导体推出全新工业级和符合车规的SiC MOSFET (2019.03.19)
安森美半导体推出了两款全新碳化矽（SiC）MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽能带隙（WBG）技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不断电系统（uninterruptable power supply；UPS）及伺服器电源
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