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英飞凌CIPOS Mini IPM提高低功率马达效率 (2018.05.25)
全球能源效率标准通常禁止制造商进囗或销售未符合标准的产品，为了满足特定的基本要求，必须透过使用最新技术减少能源损耗，英飞凌科技股份有限公司CIPOS Mini系列新增IM512及IM513产品 |
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东芝推出2款车用新封装40V N-channel沟槽功率MOSFET IC (2018.04.18)
东芝电子元件及储存装置株式会推出2新款小型低电阻SOP Advance (WF)封装的MOSFET产品。新IC- TPHR7904 & TPH1R104PB皆是车用40V N-channel沟槽功率MOSFET的最新Lineup。
此2款MOSFET IC采用最新第九代U-MOS IX-H沟槽制程及小型低电阻封装，具备低导通电阻有助於降低导通损耗，与东芝上一代产品(U-MOS IV)相比，此ICs设计实现了更低的开关杂讯，帮助降低EMI |
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大联大品隹集团推出英飞凌1200 V碳化矽MOSFET技术 (2018.04.17)
致力於亚太区市场的领先零组件通路商大联大控股今日宣布，旗下品隹集团将推出英飞凌（Infineon）1200 V碳化矽MOSFET技术。
此次推出的新技术可提升产品设计的功率密度和效能表现，并有助电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热需求，进一步提升可靠性和降低系统成本 |
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东芝针对输出型光耦合器推出新封装选项SO6L(LF4) (2018.04.03)
东芝电子元件及储存装置株式会社宣布为扩大原输出型光耦合器阵容，即日起为SO6L系列推出全新封装类型；新封装SO6L(LF4)为宽引脚间距封装，SO6L(LF4)封装爬电距离为8mm，其符合产业规格标准 |
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东芝推出搭载高效率、静电放电保护、小型封装MOSFET IC (2018.04.03)
东芝电子元件及储存装置株式会社宣布推出搭载高效率静电放电保护的双MOSFET IC － SSM6N813R，此新产品适用於需耐高压及小尺寸的车用产品或装置，包括LED头灯驱动IC，并於4月开始量产出货 |
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APEC 2018Littelfuse推出超低导通电阻1200V碳化矽MOSFET (2018.03.16)
Littelfuse公司与从事碳化矽技术开发的美商Monolith Semiconductor推出两款1200V碳化矽(SiC) n通道增强型MOSFET，进而扩展第一代电源半导体元件组合。Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系，旨在为工业和汽车市场开发电源半导体 |
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美高森美瞄准工业和汽车市场推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款产品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及与之配合的1200 V SiC萧特基阻障二极体(SBD)，进一步扩大旗下日益增长的 SiC 离散器件和模组产品组合 |
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东芝针对继电器驱动器推出新款小型双通道MOSFET IC (2018.02.08)
东芝电子元件及储存装置株式会社推出小型双通道MOSFET SSM6N357R，此款新产品在漏极(Drain)和闸极端子(Gate terminals)之间有内建二极体(Diode)。此IC适用於驱动机械继电器(Mechanical relays)等电感负载 |
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贸泽电子供应ON Semi FDMF8811 110V桥式功率级模组 (2018.02.05)
贸泽电子开始供应ON Semiconductor的FDMF8811桥式功率级模组。FDMF8811模组适用於半桥和全桥DC-DC转换器的100 V桥式功率级模组，其采用高效能的PowerTrench MOSFET技术，可减少转换器应用的开关振铃 |
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东芝新一代600V平面MOSFET系列 结合高效率及低杂讯 (2018.01.22)
东芝电子元件及储存装置株式会社推出「第九代π-MOS」，全新600V平面式MOSFET系列，量产出货於即日起启动。
- 第九代π-MOS系列采用最隹化的晶片设计，与现有的第七代系列相比，其EMI杂讯峰值低5dB[1]，但同时又保持了相同水准效率 |
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英飞凌推出600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET (2017.11.24)
英飞凌科技发表新款高电压超接面(SJ) MOSFET 技术产品 600 V CoolMOS CFD7，让CoolMOS 7 系列更为完备。
新款 MOSFET 产品满足高功率 SMPS 市场的谐振拓朴需求，为 LLC 和 ZVS PSFB 等软切换拓扑提供领先业界的效率与可靠度，最适合像是伺服器、电信设备电源和电动车充电站等高功率 SMPS 应用 |
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TDSC推出中压、高容量、小型封装的光继电器 (2017.11.16)
[东京讯](BUSINESS WIRE)东芝电子元件及储存装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, TDSC)推出一款采用小型2.54SOP4封装的新型光继电器TLP3145，该光继电器关闭状态输出端电压达200V，导通电流为0.4A |
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东芝推出小型封装N-channel MOSFET驱动IC (2017.10.27)
东芝电子元件及储存装置株式会社推出两款TCK401G（高电位作动）和TCK402G（低电位作动）N-channel MOSFET驱动IC，该产品支援最高可达28V的输入电压，适合快速充电和需要大电流电源的其他应用 |
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Littelfuse碳化矽MOSFET可在电力电子应用实现超高速切换 (2017.10.20)
Littelfuse(利特)公司推出了首个碳化矽（SiC）MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化矽技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步 |
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自我保护型 MOSFET提供高可靠性 (2017.09.18)
汽车业需要具有成本效益与完全可靠的解决方案，但这种潜在的破坏性环境，对现代汽车常见的大量控制功能所需的功率半导体装置带来巨大的挑战。 |
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电动车时代加速来临 (2017.09.05)
至2025年，新能源车占全球车市的比重将来到两成，这个数据看起来微小，但相较2016年不到3%的占比，已有相当大的成长幅度。 |
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凌力尔特推出具快速60V保护的高压侧N通道MOSFET驱动器 (2017.07.14)
美国亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，ADI) 旗下的凌力尔特 (Linear Technology Corporation) 日前推出高速、高压侧N通道MOSFET驱动器 LTC7003，该元件可采用高达60V的电源电压操作。其内部充电泵全面增强了外部N通道MOSFET开关，使其能无限期保持导通 |
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快速trr性能的600V SuperJunction MOSFET PrestoMOS (2017.06.22)
新加入可达到低ON电阻与低QG的R60xxMNx系列产品，将可大幅提升马达驱动应用装置，如搭载变流器的空调设备之节能效果。 |
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D3 Semiconductor与贸泽电子签署全球分销协定 (2017.06.20)
D3 Semiconductor与贸泽电子签署全球分销协定
D3 Semiconductor宣布贸泽电子 (Mouser Electronics) 现已成为其全球分销合作伙伴。根据协定，贸泽电子目前储备D3 Semiconductor 的完整650 伏额定电压超结金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET) +FET产品线 |
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意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装车用功率MOSFET (2017.06.08)
意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装车用功率MOSFET
意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装车用功率MOSFET
STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率电晶体，可用于汽车马达控制、电池极性接反保护和高性能功率开关 |
