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网络协议 - SOAP

SOAP的全名为Simple Object Access Protocol(简易对象通讯协议),是一种以XML为基础的通讯协议,其作用是编译网络服务所需的要求或响应后,再将编译后的讯息送出到网络,简单来说就是应用程序和用户之间传输数据的一种机制。
给科技部的科研专案与人才培育计画按个赞! (2019.03.25)
长期以来,台湾的产学落差一直为人诟病,尤其是在取得博士後所进行的研究,常是为了教职升等和论文积分,在实际的产业应用上并无太多的成果,更遗憾的,是未能充分发挥这些博士人才的优势,其实甚为可惜
清大研发全球首例自旋流解密MRAM关键瓶颈 (2019.03.14)
由国立清华大学赖志煌教授与林秀豪教授所带领的研究团队,在科技部长期的支持下,研究MRAM的特性、制程与操控,独步全球,成功以自旋流操控铁磁-反铁磁奈米膜层的磁性翻转,研究成果刊登於材料领域顶尖期刊《自然材料》(Nature Materials)
关注次世代嵌入式记忆体技术的时候到了 (2018.01.25)
次世代记忆体的产品,如FRAM,MRAM和RRAM,在物联网与智慧应用的推动下,开始找到利基市场。
物联网与AI将推升次世代记忆体需求 (2017.12.25)
经过十多年的沉潜,次世代记忆体的产品,包含FRAM(铁电记忆体),MRAM(磁阻式随机存取记忆体)和RRAM(可变电阻式记忆体),在物联网与智慧应用的推动下,开始找到利基市场
MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!(下) (2013.07.08)
MRAM是一种磁性多层膜的堆栈结构,在这当中最为关键的三层,上下两层为磁性层(一为参考层,一为自由层),中间则为绝缘层。早前的MRAM的磁性层的磁化方向是水平排列,并可由电流来控制旋转方向
MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!(上) (2013.07.02)
在工研院即将进入欢庆40周年院庆之际,工研院电光所的研究团队所开发出来的「垂直式自旋磁性内存技术」荣获杰出研究金牌奖,此一技术乍看之下并不显眼,但该内存技术的背后,却也牵动了未来全球半导体大厂的势力布局
美科学家展示自旋电子新进展 (2013.05.13)
物联网(IoT)催生出了一个物物相连,所有设备都搭载数据处理和联机能力的庞大网络,但如何让电子设备以最少的能源提供强大运算效能?一项科学研究可望为未来的电子技术发展奠定基础,美国德拉瓦大学(University of Delaware)的科学家们证实了过去仅存在于科学理论中,迄今从未确切证实的由电子产生的磁场
[Tech Spot]四大闪存替代技术 (2012.12.06)
闪存仍如日中天,智能手机消费型设备,例如平板计算机和智能手机,强劲地推动了闪存及整个半导体市场。未来几年,平板计算机的市占率将不断增加,目前最常见的闪存类型是 NAND,一位市场分析师预测:2011 至 2015 年之间, NAND的市场复合年增长率将达到 7%
SSD产业将迎向另一次革命 (2012.08.23)
SSD近来在行动市场相当受到欢迎,平均售价也持续下降,让这种快速存取且低功耗的储存装置成长力道强劲。不过,现在市售的SSD仍存在一些技术问题,例如装置内的DRAM可能因断电而流失数据,因而新世代的技术仍在发展中
抢占MRAM先机 韩政府携手三星与海力士 (2009.12.01)
外电消息报导,韩国政府日前宣布,将与三星电子及海力士合作,进行磁性随机内存(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM))的研发,以维持韩国在全球内存产业的领先地位
Aviza推出12吋晶圆级离子束沉积系统 (2008.11.14)
半导体设备及制程技术专业供货商Aviza,近日宣布推出全球第一台12吋晶圆级离子束沉积系统。第一台系统已出货至法国格勒诺伯市的欧洲领先电子学及自旋电子学应用研究中心CEA-LETI-MINATEC
新一代NVM内存之争 MRAM赢面大 (2008.11.12)
全球先进半导体设备及制程技术供货商Aviza今日(11/13)在台表示,MRAM有希望从多家新一代非挥发性内存(Non-Volatile Memory;NVM)技术中脱颖而出,并取代目前主流的SRAM,成为终极的通用型内存解决方案
Aviza新品发表媒体聚会 (2008.11.11)
随着内存应用越来越广泛,并不断朝向多功能、高效率及永久性的方向演进,半导体设备及制程技术领导厂商Aviza Technology,锁定使用于硬盘和CMOS金属闸门应用的磁阻式随机存取内存(MRAM)装置,推出了具高生产力的沉积系统产品
革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能,短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守,长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力(Scalability)、储存覆写次数耐久性(Endurance)和数据保存能力(Data Retention)的局限,使其面临技术上和经济上必须革新的关键
飞思卡尔成立新公司推动MRAM业务 (2008.06.11)
飞思卡尔半导体宣布,将与几个顶尖创投公司集资成立一间以MRAM(磁性随机存取内存)为主要产品的独立新公司。这间新公司名为EverSpin Technologies,将持续提供并扩充现有的独立MRAM产品线及相关磁性产品
东芝成功开发MRAM专用之新TMR组件 (2007.11.09)
东芝成功开发可达1Gbit以上储存容量的MRAM新型TMR组件。据了解,东芝透过自旋注入反磁化方式(简称自旋注入方式),以及可大幅减小组件体积的垂直磁化技术。东芝并于美国佛罗里达州Tampa所举办的第52届磁学与磁性材料年会(Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials;MMM)上发表这项研究成果
非挥发性内存的竞合市场 (2007.10.24)
内存本身就具有通用与中介的性质,所以发展出来的各类内存组件,多能通用于不同系统之间。新一代的内存为了更通用之故,所发展的都是非挥发性的内存,这样才能既做为系统随机存取之用,又能组成各类的储存装置,例如嵌入在便携设备中的储存容量、弹性应用的记忆卡或固态硬盘等
飞思卡尔MRAM组件获创新类奖项 (2007.03.03)
飞思卡尔其4兆位MRAM组件最近荣获In-Stat的Microprocessor Report年度「创新」类奖项。该组件在同年内也获得了Electronic Product的「年度产品大奖」、同时还入围了EDN的创新大奖及EE Times的ACE大奖等奖项的决选
飞思卡尔推出商用MRAM技术 (2006.07.11)
飞思卡尔半导体发表首款商用磁阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)组件,并已投入量产。 飞思卡尔的4兆位MRAM产品是一款耐用性极佳的高速非挥发性内存,这种高速且耐用的特性组合是任何半导体记忆装置都无法提供的
Cypress将出售MRAM事业部 (2005.02.17)
Cypress Semiconductor宣布计划售出旗下专门供应磁阻式随机存取内存(Magnetic Random Access Memory, MRAM)的子公司Silicon Magnetic Systems (SMS)。Cypress执行长T.J. Rodgers表示:「经过三年的努力,Cypress于1月开始供应七家OEM客户全功能MRAM样品

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